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BPX38-4 发布时间 时间:2025/12/28 6:37:09 查看 阅读:20

BPX38-4是一款高性能的硅基PIN光电二极管,专为高灵敏度光检测应用而设计。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有宽光谱响应范围、低暗电流和快速响应时间等优点,适用于需要精确光信号转换的场合。BPX38-4封装形式通常为TO-46或类似金属封装,具备良好的机械稳定性和热稳定性,适合在工业环境或恶劣条件下长期运行。其结构中的PIN结设计优化了载流子收集效率,从而提升了量子效率和信噪比。该器件常用于光通信、激光测距、脉冲光检测、辐射探测以及医疗成像系统中。由于其对可见光至近红外波段(约400nm至1100nm)具有优异的响应能力,BPX38-4在光纤传感与分析仪器领域也得到了广泛应用。此外,该器件可在零偏压或反向偏置条件下工作,适应不同的电路设计需求,尤其适合低功耗或自供电型光感测系统。制造商通常提供详细的光谱响应曲线、温度特性及可靠性测试数据,以支持客户进行系统级优化和认证。

参数

类型:PIN光电二极管
  封装形式:TO-46
  光敏面积:3.8 mm2
  峰值波长:960 nm
  光谱范围:400 nm ~ 1100 nm
  响应度(@960nm):0.55 A/W
  暗电流(@25°C, 10mV):< 1 nA
  电容(@10mV, 1MHz):100 pF
  上升/下降时间:100 ns
  工作温度范围:-40°C ~ +100°C
  存储温度范围:-55°C ~ +125°C
  最大反向电压:30 V
  线性光电流:高达 100 μA

特性

BPX38-4的核心特性之一是其宽光谱响应能力,覆盖从可见光蓝紫区域到近红外波段,使其能够适应多种光源类型的应用场景。在960nm处达到峰值响应,这一波长恰好位于许多红外LED和激光器的工作范围内,因此特别适用于激光雷达、光电开关和红外通信系统。其高响应度(0.55 A/W @ 960nm)意味着即使在微弱光照条件下也能产生较强的电信号输出,提高了系统的检测灵敏度和动态范围。
  另一个显著特点是极低的暗电流,在室温下小于1nA,这有效降低了背景噪声,提升了信噪比,尤其是在低光强测量中表现突出。低暗电流还减少了温度漂移的影响,使器件在不同环境温度下保持稳定的性能输出。结合较小的结电容(约100pF),BPX38-4实现了较快的响应速度(上升/下降时间约100ns),适用于高频调制光信号的检测,如脉冲激光测距或编码光通信。
  PIN结构的设计增强了耗尽区宽度,使得更多入射光子被吸收并转化为电子-空穴对,从而提高量子效率。同时,该结构有助于减少载流子复合损失,进一步提升光电转换效率。器件可在无偏压(光伏模式)或反向偏置(光导模式)下工作,灵活适配不同前端放大电路设计。例如,在低噪声应用中可采用光伏模式配合跨阻放大器;而在高速应用中则使用反向偏压以降低结电容并加快响应。
  TO-46金属封装不仅提供了良好的光学对准便利性,还具备出色的密封性和抗电磁干扰能力,适合工业级和户外应用。该封装还可选配滤光片或透镜,以增强特定波长的选择性或聚焦能力。此外,BPX38-4具有较高的辐照耐受性,不易因长时间光照而老化,确保长期使用的可靠性。整体而言,BPX38-4是一款集高灵敏度、低噪声、宽谱响应和高稳定性于一体的通用型光电探测器,广泛服务于科研、工业自动化和通信领域。

应用

BPX38-4广泛应用于各类光电检测系统中。在工业自动化领域,常用于光电开关、物体检测、位置传感和编码器反馈系统,利用其对红外光的高响应实现非接触式控制。在光通信方面,适用于短距离光纤接收模块,特别是工作在850nm或940nm波段的局域网和传感器网络。
  在激光测距与飞行时间(ToF)系统中,BPX38-4因其快速响应和高灵敏度,可用于接收反射的脉冲激光信号,实现厘米级甚至毫米级的距离测量,常见于机器人避障、无人机高度计和智能安防设备。
  医疗设备中,该器件可用于血氧饱和度监测(SpO2)、脉搏检测等基于光电容积描记法(PPG)的技术,通过检测透过人体组织的红光与红外光变化来计算生理参数。
  此外,BPX38-4还用于环境光检测、火焰探测、核辐射闪烁探测器配套(配合闪烁晶体)以及科研实验中的光强测量仪器。其宽温度工作范围也使其适用于汽车电子、航空航天等严苛环境下的光信号采集任务。

替代型号

SFH 203 PA
  OSI Optoelectronics PIN-10DP
  Vishay BPW34

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BPX38-4参数

  • 最大集电极发射器饱和电压0.2V
  • 产品宽度5.6mm
  • 产品长度5.6mm
  • 产品高度5.5mm
  • 供应商包装TO-18
  • 光电晶体管类型光电晶体管
  • 功能光电晶体管
  • 半强度角度度数80°
  • 安装通孔
  • 峰值波长880nm
  • 插脚数3
  • 最大上升时间15000ns
  • 最大下落时间15000ns
  • 最大光电流2300μA
  • 最大功率耗散220mW
  • 最大工作温度125°C
  • 最大暗电流100nA
  • 最大集电极发射器电压50V
  • 最大集电极电流50mA
  • 最小工作温度-40°C
  • 极性NPN
  • 每芯片通道数目1
  • 类型芯片