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W25Q128FVSJQ TR 发布时间 时间:2025/8/20 13:15:18 查看 阅读:8

W25Q128FVSJQ TR 是 Winbond 公司生产的一款高性能、低功耗的串行闪存芯片,容量为128M-bit(16MB)。该芯片采用标准的SPI(Serial Peripheral Interface)接口进行通信,适用于需要快速读取和存储数据的嵌入式系统。W25Q128FVSJQ TR 采用 8 引脚 SOIC 封装,适用于工业级温度范围(-40°C 至 +85°C),广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子等领域。

参数

容量:128M-bit(16MB)
  接口类型:SPI
  封装类型:8-SOIC
  温度范围:-40°C 至 +85°C
  电源电压:2.7V 至 3.6V
  最大时钟频率:80MHz
  读取电流:5mA(典型值)
  编程/擦除电流:10mA(典型值)
  待机电流:1uA(典型值)

特性

W25Q128FVSJQ TR 采用先进的 CMOS 工艺制造,具有优异的抗干扰能力和稳定性。其 SPI 接口支持高速数据传输,最大时钟频率可达 80MHz,能够实现快速的数据读取操作。该芯片内置高效的写保护机制,包括软件写保护和硬件写保护(WP 引脚),有效防止误写入和数据损坏。此外,W25Q128FVSJQ TR 支持多种擦除方式,包括按扇区擦除(4KB)、按块擦除(32KB 或 64KB)以及整体擦除,用户可根据实际需求灵活选择。芯片内部集成了擦写控制电路(P/E 控制器),可自动管理编程和擦除操作,减少主控芯片的负担。此外,W25Q128FVSJQ TR 还支持 JEDEC 标准的 ID 识别码读取功能,方便系统进行设备识别和配置。
  该芯片在低功耗设计方面表现优异,在正常工作模式下电流仅为 5mA,在待机模式下电流低至 1uA,适用于对功耗敏感的应用场景。其 8-SOIC 封装形式体积小巧,便于 PCB 布局,同时具备良好的散热性能。由于其宽温度范围(-40°C 至 +85°C)和高可靠性,W25Q128FVSJQ TR 非常适合用于工业和车载环境中的数据存储应用。

应用

W25Q128FVSJQ TR 广泛应用于各种嵌入式系统和电子设备中,包括但不限于:工业控制设备中的程序存储和数据记录、消费类电子产品(如智能手表、智能音箱)中的固件存储、通信设备(如路由器、网关)中的配置信息存储、车载电子系统(如车载导航、行车记录仪)中的数据缓存和日志记录、以及物联网(IoT)设备中的固件更新和临时数据存储。此外,由于其高性能和低功耗特性,W25Q128FVSJQ TR 也常用于需要频繁读写和存储操作的场景,如数据采集系统和远程监控设备。

替代型号

W25Q128JVSSJQ, W25Q128FVSSJQ

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W25Q128FVSJQ TR参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列SpiFlash?
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态停产
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式闪存
  • 技术FLASH - NOR
  • 存储容量128Mb
  • 存储器组织16M x 8
  • 存储器接口SPI - 四 I/O,QPI
  • 时钟频率104 MHz
  • 写周期时间 - 字,页50μs,3ms
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 105°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.209",5.30mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOIC