时间：2025/5/10 14:34:20
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SUM110N05-06L是一款高压MOSFET，主要应用于高效率开关电源、电机驱动和逆变器等场景。该器件采用TO-220封装形式，具有低导通电阻和高耐压的特性，适合要求高效能和稳定性的工业应用。
型号：SUM110N05-06L
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：500V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：11A
导通电阻(Rds(on))：0.4Ω(典型值，在Vgs=10V时)
总功耗(Ptot)：140W
结温范围(Tj)：-55°C至+150°C
封装：TO-220
SUM110N05-06L是一款增强型N通道功率MOSFET，其主要特点如下：
1. 高击穿电压设计，支持高达500V的工作电压。
2. 低导通电阻，减少传导损耗并提升系统效率。
3. 快速开关性能，降低开关损耗，适用于高频应用场景。
4. 具备良好的热稳定性，能够承受高温环境下的长时间工作。
5. TO-220封装提供了良好的散热性能，便于安装在散热片上以进一步提升冷却效果。
6. 它还具有较高的雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性，可以在异常条件下提供额外保护。
该器件广泛应用于各种电力电子领域，包括但不限于以下应用：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器(DC-DC Converter)中的主开关或同步整流元件。
3. 电机驱动电路中的功率级控制元件。
4. 太阳能逆变器和其他能源管理设备中的关键功率处理单元。
5. 各种工业控制和家电产品中的负载开关和保护电路。
IRF840, STP11NM50, FQP17N50
