时间：2025/3/27 14:32:29
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ZXMN6A25DN8 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由 Infineon Technologies 提供。这款器件主要应用于需要高效功率转换和开关的场景，如电源管理、电机驱动和消费电子设备中。该 MOSFET 采用 PDFN8 封装，具有较小的体积和良好的散热性能，适合高密度设计。
其核心特点是低导通电阻和快速开关速度，从而减少功率损耗并提高系统效率。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：18A
导通电阻：2.5mΩ
栅极电荷：39nC
开关速度：快速
封装类型：PDFN8
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
ZXMN6A25DN8 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在典型条件下仅为 2.5mΩ，有助于降低传导损耗。
2. 快速开关能力，通过优化的栅极电荷设计实现，可有效减少开关损耗。
3. 良好的热性能，得益于 PDFN8 封装形式，能够提供高效的散热管理。
4. 高电流承载能力，支持高达 18A 的连续漏极电流，适用于大功率应用。
5. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 150℃)，确保在各种环境条件下的稳定运行。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
ZXMN6A25DN8 广泛应用于以下领域电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器，用于提升功率转换效率。
2. 电池管理系统 (BMS)，特别是在电动汽车和储能系统中。
3. 电机驱动，如家用电器中的无刷直流电机控制。
4. 消费类电子产品中的负载开关和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
这款 MOSFET 因其高效性和可靠性而成为许多高性能功率转换应用的理想选择。
ZXMN6A26DN8
ZXMN6A27DN8
