RJK1525DPJ 是一款基于 DMOS 技术设计的 N 沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管 (MOSFET)。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热性能,非常适合用于高频开关应用,如 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等。其封装形式为 DPAK(TO-252),并支持表面贴装技术 (SMT),便于自动化生产。
这款 MOSFET 的典型特点是具备较低的栅极电荷和输出电容,这有助于减少开关损耗,并提升整体效率。此外,RJK1525DPJ 的漏源极电压耐受能力为 60V,持续电流能力高达 38A,适用于多种工业及消费电子领域。
漏源极击穿电压:60V
连续漏极电流:38A
导通电阻:4.5mΩ
栅源开启电压:2.5V
总栅极电荷:31nC
最大工作结温:175℃
封装类型:DPAK (TO-252)
RJK1525DPJ 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在不同栅极驱动电压下表现优异,例如在 Vgs=10V 时 Rds(on) 仅为 4.5mΩ。
2. 高效的热耗散能力,得益于其优化的封装设计。
3. 快速的开关性能,归因于低栅极电荷和输出电容。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃),确保了其在极端条件下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅设计。
6. 支持高频率操作,减少了磁性元件体积,从而实现更紧凑的电路设计。
RJK1525DPJ 在设计时特别注重降低功耗,同时保持高效能,是众多电源管理方案的理想选择。
RJK1525DPJ 广泛应用于以下场景:
1. 开关模式电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的同步整流。
2. 工业设备中的负载开关和保护电路。
3. 消费类电子产品中的电池管理系统 (BMS)。
4. LED 照明驱动器和背光解决方案。
5. 各种电机控制和驱动应用。
6. 通信电源系统中的功率转换模块。
由于其高性能和可靠性,RJK1525DPJ 成为了许多工程师首选的功率 MOSFET 器件之一。
RFP15N06LE, IRFZ44N, FDN368P