时间：2025/9/11 5:18:32
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UGF19045是一款广泛应用于电源管理和功率转换领域的功率MOSFET晶体管。该器件采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻、高开关速度和优异的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电源开关、电机控制等多种高功率应用场合。UGF19045通常采用TO-220或D2PAK等封装形式，便于散热和安装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：190A
漏源极击穿电压（VDS）：45V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约2.7mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220、D2PAK等
UGF19045具有非常低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功率损耗，提高系统效率。该器件采用了先进的沟槽栅极技术和优化的硅片设计，从而实现了优异的开关性能和快速的响应能力。此外，UGF19045具有良好的热稳定性和高耐用性，能够在高温环境下稳定工作。该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持多种驱动电路设计，适用于多种功率控制场景。其高耐流能力和高击穿电压特性，使其在汽车电子、工业电源、电动工具和电池管理系统中表现出色。
UGF19045广泛应用于各类高功率电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、电源管理系统、电机控制器、电动车辆（EV）和混合动力车辆（HEV）的功率模块、工业自动化设备、不间断电源（UPS）以及高性能电池管理系统（BMS）。该器件也常用于高电流负载开关、功率放大器和高频开关电源设计中。
IRF1404, SiR190DP, NexFET CSD19535, STP190N4F5, IPW90R024C7
