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NTD4804N-35G 发布时间 时间:2025/6/5 12:23:25 查看 阅读:31

NTD4804N-35G 是一款 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高效率的特性,适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。
  这款 MOSFET 的设计注重在高频工作条件下的性能表现,其快速开关速度有助于减少开关损耗,同时提高系统的整体效率。

参数

最大漏源电压:40V
  连续漏极电流:18A
  导通电阻:1.5mΩ
  栅极电荷:37nC
  总功耗:17W
  工作结温范围:-55℃ 至 150℃

特性

NTD4804N-35G 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.5mΩ,从而降低传导损耗并提升系统效率。
  2. 快速开关能力,得益于较小的栅极电荷 (Qg),可有效减少开关过程中的能量损失。
  3. 高雪崩击穿能力和鲁棒性,能够承受短暂的过载情况而不损坏。
  4. TO-263 封装提供良好的散热性能和电气连接稳定性,适合多种工业及消费类应用场景。
  5. 符合 RoHS 标准,确保环保合规性。
  6. 工作温度范围广 (-55℃ 至 +150℃),适应恶劣环境条件。

应用

NTD4804N-35G 可广泛应用于以下场景:
  1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
  2. 电机驱动电路,包括步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 等。
  3. 各种负载切换应用,如电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
  4. LED 驱动电路中用于调光控制和恒流输出。
  5. 通信设备中的信号调节与功率放大模块。
  6. 汽车电子中的继电器替代方案和电源管理单元。

替代型号

NTMFS4810N, IRFZ44N, FDP5570N

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NTD4804N-35G参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14.5A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4 毫欧 @ 30A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4490pF @ 12V
  • 功率 - 最大1.43W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 短截引线,IPak
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称NTD4804N-35G-NDNTD4804N-35GOS