时间：2025/6/5 12:23:25
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NTD4804N-35G 是一款 N 沟道功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高效率的特性，适用于各种开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动以及负载切换等应用领域。
这款 MOSFET 的设计注重在高频工作条件下的性能表现，其快速开关速度有助于减少开关损耗，同时提高系统的整体效率。
最大漏源电压：40V
连续漏极电流：18A
导通电阻：1.5mΩ
栅极电荷：37nC
总功耗：17W
工作结温范围：-55℃ 至 150℃
NTD4804N-35G 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在 10V 栅极驱动电压下仅为 1.5mΩ，从而降低传导损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，得益于较小的栅极电荷 (Qg)，可有效减少开关过程中的能量损失。
3. 高雪崩击穿能力和鲁棒性，能够承受短暂的过载情况而不损坏。
4. TO-263 封装提供良好的散热性能和电气连接稳定性，适合多种工业及消费类应用场景。
5. 符合 RoHS 标准，确保环保合规性。
6. 工作温度范围广 (-55℃ 至 +150℃)，适应恶劣环境条件。
NTD4804N-35G 可广泛应用于以下场景：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 电机驱动电路，包括步进电机、无刷直流电机 (BLDC) 等。
3. 各种负载切换应用，如电池管理系统 (BMS) 中的保护开关。
4. LED 驱动电路中用于调光控制和恒流输出。
5. 通信设备中的信号调节与功率放大模块。
6. 汽车电子中的继电器替代方案和电源管理单元。
NTMFS4810N, IRFZ44N, FDP5570N
