20N60C3 时间：2025/5/19 19:08:38 阅读：14

20N60C3是一种高压、高功率的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于开关电源、逆变器、电机驱动等场景。该器件属于N沟道增强型MOSFET，具有较低的导通电阻和较高的电压耐受能力。其封装形式通常为TO-247或TO-220，适合高电流和高电压的应用环境。
　　该型号中的“20”代表漏极电流最大值为20A，“60”表示击穿电压为600V，而“C3”则表明这是该系列的一个具体版本，可能在某些参数上有所优化。

参数

最大漏源电压：600V
　　最大栅源电压：±20V
　　连续漏极电流：20A
　　导通电阻：0.18Ω
　　总功耗：200W
　　结温范围：-55℃至175℃

特性

20N60C3的主要特性包括：
　　1. 高电压耐受能力：600V的击穿电压使其适用于高压应用环境。
　　2. 较低的导通电阻：在高电流工作条件下，降低导通损耗，提高效率。
　　3. 快速开关速度：减少开关损耗，提升系统性能。
　　4. 热稳定性强：能够在较宽的温度范围内可靠工作，适应恶劣的工作条件。
　　5. 封装坚固：采用标准TO-247或TO-220封装，便于散热和安装。
　　6. 符合RoHS标准：环保设计，满足国际环保要求。

应用

20N60C3广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）：用于AC-DC转换器中的主开关管。
　　2. 逆变器：在太阳能逆变器和不间断电源（UPS）中作为功率开关。
　　3. 电机驱动：用于控制大功率电机的启动、停止和调速。
　　4. 电子负载：提供高精度的电流吸收功能。
　　5. PFC电路：在功率因数校正电路中实现高效能量转换。
　　6. 其他高压、大电流场合：如工业电源、焊接设备等。