时间：2025/7/14 16:53:59
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U1620RG 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用设计，具有低导通电阻、高速开关性能以及优异的热稳定性等特点，适用于DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统、负载开关和各类工业自动化设备中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：200V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：1.6A
导通电阻（Rds(on)）@Vgs=10V：约2.5Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C至+175°C
封装形式：TO-92、SOT-23等
U1620RG的主要特点包括其优化的晶圆工艺，使得导通损耗更低，并具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性。此外，该器件采用了先进的平面技术，确保了在高频开关条件下的稳定性和可靠性。它的栅极驱动设计兼容标准逻辑电平，便于与控制器配合使用。该MOSFET还具有较低的输入电容和反向恢复电荷，有助于减少开关损耗并提升整体系统效率。
此器件广泛应用于各种需要高效能功率控制的场合，例如小型逆变器、LED照明调光系统、便携式设备电源管理、智能电表中的隔离开关电路、汽车电子中的传感器供电模块以及其他要求紧凑布局和高性能的嵌入式控制系统。
STD1.6NF20、2N7002、FDN340P、IRLML2402
