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SI8231AB-D-IS1R 发布时间 时间:2025/8/21 16:19:50 查看 阅读:21

SI8231AB-D-IS1R 是 Silicon Labs(芯科科技)生产的一款高性能、双通道隔离式栅极驱动器芯片,主要用于驱动功率MOSFET和IGBT器件。该芯片采用了Silicon Labs独有的数字隔离技术,具备高绝缘耐压能力、快速响应时间和高可靠性,适用于工业自动化、电机控制、电源转换、太阳能逆变器等高要求的应用场景。

参数

型号: SI8231AB-D-IS1R
  类型: 隔离式双通道栅极驱动器
  供电电压范围: 2.5V - 5.5V(VDD)
  隔离电压: 5kVRMS(1分钟)
  工作温度范围: -40°C 至 +125°C
  封装形式: 8引脚 SOIC(宽体)
  输出驱动能力: 高达 2.5A 峰值电流
  传输延迟: 典型值 80ns
  共模瞬态抗扰度(CMTI): >50kV/μs
  输出通道配置: 双通道独立驱动
  输入逻辑电平: TTL/CMOS兼容

特性

SI8231AB-D-IS1R 具备多项优异的电气和物理特性,使其在复杂环境中具备出色的稳定性和可靠性。
  首先,该器件采用Silicon Labs的专利数字隔离技术,利用CMOS工艺实现高集成度和高隔离性能,能够提供高达5kVRMS的隔离电压,满足工业级安全标准。这种隔离技术不仅具备良好的抗电磁干扰能力,还能有效防止接地回路带来的噪声干扰,提高系统的整体安全性。
  其次,SI8231AB-D-IS1R 的双通道输出设计为独立驱动结构,支持同时驱动两个功率器件,如两个MOSFET或IGBT。每个通道的峰值输出电流可达2.5A,足以满足大多数中高功率应用的需求,确保功率器件的快速开关操作,降低开关损耗。
  再者,该芯片具有极低的传输延迟(典型值为80ns)和极小的通道间延迟匹配误差,确保双通道输出的同步性和精确性,特别适用于需要高精度时序控制的应用,如H桥电路、同步整流和DC-DC转换器。
  此外,该芯片具备高达50kV/μs以上的共模瞬态抗扰度(CMTI),在高dv/dt环境下依然保持稳定的工作性能,避免因电压瞬变引起的误触发或损坏。其宽工作温度范围(-40°C至+125°C)也使其适用于各种恶劣的工业环境。
  最后,SI8231AB-D-IS1R 的输入端支持TTL/CMOS电平兼容,便于与各种控制器(如MCU、DSP或FPGA)直接连接,简化了系统设计和外围电路的布局。

应用

SI8231AB-D-IS1R 主要应用于需要高隔离性能和高驱动能力的功率电子系统中。常见应用场景包括电机驱动器、工业自动化控制、伺服驱动、智能电网设备、光伏逆变器、储能系统、电动汽车充电模块以及各种类型的DC-AC和DC-DC功率转换器。此外,该芯片还可用于家电中的变频控制系统,如变频空调、洗衣机等,提供高效、安全的功率驱动解决方案。

替代型号

ADuM4223-1BRZ, UCC21520DWPR, HCPL-J312, NCD57001DR2G

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SI8231AB-D-IS1R参数

  • 现有数量0现货
  • 价格2,500 : ¥17.52954卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 技术容性耦合
  • 通道数2
  • 电压 - 隔离2500Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值)20kV/μs
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值)60ns,60ns
  • 脉宽失真(最大)5.6ns
  • 上升/下降时间(典型值)20ns,20ns(最大)
  • 电流 - 输出高、低250mA,500mA
  • 电流 - 峰值输出500mA
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值)-
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值)-
  • 电压 -?输出供电6.5V ~ 24V
  • 工作温度-40°C ~ 125°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装16-SOIC
  • 认证机构CQC,CSA,UR,VDE