类型：IGBT模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1700V
　　额定集电极电流（IC）：160A
　　短路耐受电流：300A（10μs）
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装类型：双列直插式封装（DIP）
　　栅极驱动电压：±20V
　　导通压降（VCEsat）：约2.1V（典型值）
　　功耗：约300W（最大值）
　　隔离电压：2500Vrms（模块与散热片之间）

GT17HN-16DP-2H(58) 是一款高性能的IGBT模块，具有出色的电气和热性能。该模块采用了先进的IGBT芯片技术，确保了低导通压降和低开关损耗，从而提高了系统的整体效率。其最大集电极-发射极电压为1700V，额定集电极电流为160A，使其适用于中高功率应用。此外，该模块具备良好的短路耐受能力，在10微秒内可承受高达300A的电流，增强了系统在异常情况下的可靠性。
　　该模块采用双列直插式封装（DIP），便于安装和散热，同时提供高达2500Vrms的隔离电压，确保了系统的电气安全。其宽广的工作温度范围（-40°C至+150°C）使该模块适用于各种恶劣环境条件。此外，模块的栅极驱动电压范围为±20V，具有良好的驱动兼容性，可与多种栅极驱动电路配合使用。
　　在热管理方面，该模块优化了内部结构设计，以实现高效的热量传导和散热性能，有助于延长模块的使用寿命并提高系统稳定性。这些特性使得GT17HN-16DP-2H(58) 成为工业电机驱动、变频器、UPS（不间断电源）和可再生能源系统等应用中的理想选择。

GT17HN-16DP-2H(58) 适用于多种高功率电子系统，包括工业变频器、电机驱动器、UPS不间断电源、电焊机、感应加热设备以及太阳能逆变器等。其高耐压和高电流能力使其适合用于需要高效率功率转换的场合。

GT17HN-16DL-2H, GT17HN-16DS-2H, GT17HN-16DQ-2H, SKM150GB176D