时间：2025/6/6 10:27:00
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NTD4302T4-UDU 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。它适用于多种开关和功率管理应用，特别是在需要高效能和低导通电阻的场景中。该器件采用 DPAK 封装形式，具有出色的散热性能，适合高功率密度的设计需求。
这款 MOSFET 的设计使其能够在较高的频率下运行，同时保持较低的开关损耗和传导损耗。它的典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电池保护等。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：5.1A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ
栅极电荷：9nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：DPAK (TO-252)
逻辑电平栅极驱动兼容性：支持
NTD4302T4-UDU 具有非常低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少在高电流应用中的功耗，并提高整体效率。
该器件还具有较快的开关速度，能够降低开关过程中的能量损失。
由于采用了 DPAK 封装，NTD4302T4-UDU 提供了良好的热性能，从而可以更好地适应高温环境或大功率应用场景。
此外，其逻辑电平兼容的栅极驱动允许直接与许多常见的微控制器或驱动芯片接口，简化了系统设计。
最后，宽广的工作温度范围使得此 MOSFET 非常适合工业及汽车领域的严苛条件下的使用。
NTD4302T4-UDU 广泛应用于以下领域：
- DC-DC 转换器
- 开关电源（SMPS）
- 电池管理系统（BMS）
- 电机控制
- 逆变器
- 负载开关
- 通信设备中的功率分配
- 汽车电子系统中的各种开关功能
其低 Rds(on) 和快速开关特性使其成为高效率和高可靠性应用的理想选择。
NTD4302N3
IRFZ44N
FDP5500
IXTH30N10L2
