时间：2025/8/6 1:19:34
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IXFN80N10S1 是一款由 Littelfuse（原 IXYS）制造的高功率 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高电流、高频率应用而设计。该器件具有低导通电阻、高耐压和高可靠性，适用于电源转换、电机驱动、逆变器以及工业控制系统等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
漏极电流（ID）：80A
栅极阈值电压（VGS(th)）：2.1V ~ 4.0V
导通电阻（RDS(on)）：13mΩ @ VGS = 10V
功率耗散（PD）：300W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247AC
IXFN80N10S1 具有优异的导通性能和开关特性，能够在高频率下稳定运行。其低导通电阻（RDS(on)）显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该器件采用先进的沟槽栅极技术，优化了载流子分布，从而提高了器件的热稳定性和长期可靠性。
此外，IXFN80N1 支持高漏极电流能力，适用于需要大电流输出的功率转换应用，如 DC-DC 转换器、电机控制和太阳能逆变器。该 MOSFET 还具备良好的雪崩能量承受能力，增强了器件在极端工作条件下的稳定性。
封装方面，TO-247AC 提供了良好的散热性能和机械稳定性，适合在高温环境下工作。其引脚排列设计也便于 PCB 布局和焊接，提高了组装效率和可靠性。
IXFN80N10S1 主要应用于中高功率电子系统中，如开关电源（SMPS）、电机驱动器、逆变器、UPS 系统、工业自动化设备、LED 照明驱动器、电池充电器和新能源系统（如光伏逆变器）。此外，该器件还可用于汽车电子、电源管理模块和大功率 DC-DC 转换器等对性能和可靠性要求较高的场景。
IXFH80N10S1, IRF3710, STP80NF10, FDP80N10
