时间：2025/8/2 5:51:57
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SIA483ADJ-T1-GE3 是 Vishay Semiconductor 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。该器件采用先进的沟槽技术，提供了较低的导通电阻（RDS(on)）和高效的开关性能。SIA483ADJ-T1-GE3 封装为 PowerPAK SO-8，是一种双 MOSFET 配置，适用于需要高功率密度和低损耗的电源系统。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：5.5A
导通电阻 RDS(on)：0.017Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：PowerPAK SO-8
功率耗散（PD）：2.5W
漏极电流峰值（IDM）：22A
SIA483ADJ-T1-GE3 提供了非常低的导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高电源转换效率。其沟槽 MOSFET 技术确保了卓越的热性能和电流处理能力，使其适用于紧凑型高功率密度设计。
该器件的栅极驱动电压兼容标准逻辑电平（可由 4.5V 至 20V 驱动），适用于多种控制器和驱动器电路。此外，SIA483ADJ-T1-GE3 具有良好的热稳定性和短路耐受能力，适合在恶劣工作条件下运行。
PowerPAK SO-8 封装具有优异的热性能，能够有效散热，同时节省 PCB 空间。该双 MOSFET 配置在一个封装内集成了两个独立的 N 沟道晶体管，常用于同步整流、负载开关或 H 桥配置等应用中。
SIA483ADJ-T1-GE3 广泛应用于各类电源管理系统中，包括 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机控制、电池供电设备以及汽车电子系统。其高效率和小型封装使其特别适合于空间受限且对热性能有高要求的设计。
在电源设计中，该器件可用于同步降压转换器的高侧和低侧开关，提升整体转换效率并降低损耗。此外，SIA483ADJ-T1-GE3 还可用于电机驱动电路、电源管理模块、LED 驱动器以及工业自动化控制系统中。
Si4826DY-T1-E3, SIA424DJ-T1-GE3, FDS4826A, NDS355AN
