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KM681000BCTE 发布时间 时间:2025/9/1 10:57:53 查看 阅读:5

KM681000BCTE 是一款由三星(Samsung)生产的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为1Mb(128K x 8)。它属于高速、低功耗的CMOS SRAM器件,广泛应用于需要快速数据访问的电子系统中,如网络设备、工业控制设备、通信设备和嵌入式系统。KM681000BCTE 采用55ns的访问速度,适用于对时序要求较高的场景。

参数

容量:1Mb (128K x 8)
  组织方式:x8
  电压:5V
  访问时间:55ns
  封装:52引脚 TSOP
  温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  工作模式:异步
  封装类型:TSOP
  引脚数:52

特性

KM681000BCTE 是一款高性能、低功耗的CMOS SRAM芯片,具有出色的稳定性和可靠性。其异步工作模式允许它在不依赖系统时钟的情况下进行数据读写操作,提高了灵活性和适用性。该芯片的高速访问时间(55ns)使其能够满足高性能系统对数据存取速度的需求。此外,KM681000BCTE 采用工业级温度范围设计,可在严苛环境下稳定工作,适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用场景。
  该芯片的5V电源供电设计使其具有较好的兼容性,适用于多种系统架构。52引脚TSOP封装则有助于减少PCB空间占用,并提升高频工作的稳定性。与同类SRAM产品相比,KM681000BCTE 在速度、功耗和可靠性方面表现出色,是一款适用于多种高性能应用的理想存储解决方案。

应用

该芯片广泛应用于需要高速数据存储与访问的系统中,如网络交换设备、通信模块、工业控制器、嵌入式系统、图像处理设备和测试仪器等。其高速度和低功耗特性使其特别适合用于缓存、临时数据存储和实时控制场景。

替代型号

IS61LV1000BLL-55、CY62148E、IDT71V016S、AS6C1008、MCM62108

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