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Q1084A 发布时间 时间:2025/9/2 0:39:07 查看 阅读:9

Q1084A 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术,具有较低的导通电阻(Rds(on))和优异的热性能,适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高电流开关电路。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):4.1A
  最大漏-源电压(VDS):30V
  最大栅-源电压(VGS):±20V
  导通电阻(Rds(on)):32mΩ(典型值,VGS=10V)
  功率耗散(PD):2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装类型:TO-252(DPAK)

特性

Q1084A MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术,具有极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其30V的漏-源电压额定值使其适用于多种低压功率应用,例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
  该器件的最大漏极电流为4.1A,在高电流负载下依然保持稳定的性能。Q1084A的栅极驱动电压范围宽广,最大栅-源电压为±20V,允许灵活的设计选择,并具备良好的抗噪声能力。
  其TO-252(DPAK)封装提供了良好的散热性能,适用于表面贴装工艺,便于在PCB上安装。此外,该MOSFET具有快速开关特性,适用于高频开关应用,从而减少开关损耗并提高整体效率。
  在热性能方面,Q1084A具备优异的热稳定性,能够在高温环境下可靠运行,适用于工业级和汽车电子应用。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力,增强了在异常工况下的鲁棒性。
  总体而言,Q1084A是一款高性价比的功率MOSFET,适用于多种电源管理和开关应用,具备低导通损耗、高可靠性以及良好的热管理能力。

应用

Q1084A广泛应用于多种电源管理和功率控制电路中,包括但不限于以下领域:DC-DC降压/升压转换器、负载开关电路、电池管理系统(BMS)、电机驱动电路、电源适配器、同步整流器、LED驱动电源、工业自动化设备以及汽车电子系统等。其优异的导通性能和热稳定性使其成为高效能、高可靠性设计的理想选择。

替代型号

Si4410BDY, IRF7404, FDS6680, NDS355AN

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