Q1084A 时间：2025/9/2 0:39:07 阅读：29

Q1084A 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于需要高效率和高功率密度的电源管理应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及各种高电流开关电路。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.1A
　　最大漏-源电压（VDS）：30V
　　最大栅-源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：32mΩ（典型值，VGS=10V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

特性

Q1084A MOSFET采用了先进的Trench沟槽技术，具有极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其30V的漏-源电压额定值使其适用于多种低压功率应用，例如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关。
　　该器件的最大漏极电流为4.1A，在高电流负载下依然保持稳定的性能。Q1084A的栅极驱动电压范围宽广，最大栅-源电压为±20V，允许灵活的设计选择，并具备良好的抗噪声能力。
　　其TO-252（DPAK）封装提供了良好的散热性能，适用于表面贴装工艺，便于在PCB上安装。此外，该MOSFET具有快速开关特性，适用于高频开关应用，从而减少开关损耗并提高整体效率。
　　在热性能方面，Q1084A具备优异的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。该器件还具有较高的雪崩能量承受能力，增强了在异常工况下的鲁棒性。
　　总体而言，Q1084A是一款高性价比的功率MOSFET，适用于多种电源管理和开关应用，具备低导通损耗、高可靠性以及良好的热管理能力。