时间：2025/8/2 6:47:28
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ZXMN3A14FQTA 是一款由 Diodes 公司生产的 P 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench 工艺制造，具有低导通电阻（RDS(on)）和高性能的开关特性。该器件采用 SOT-26 封装，体积小巧，适合用于便携式电子设备和空间受限的应用场合。ZXMN3A14FQTA 在 4.5V 栅极驱动电压下工作，适用于低电压电源管理、负载开关、电池供电系统等应用。
类型：P 沟道 MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-20V
最大连续漏极电流（ID）：-2.6A
导通电阻 RDS(on)：最大 140mΩ（在 VGS = -4.5V 时）
栅极阈值电压（VGS(th)）：-0.5V 至 -1.2V
最大功耗（PD）：1.5W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-26
ZXMN3A14FQTA 是一款高性能的 P 沟道 MOSFET，采用先进的 Trench 工艺制造，使其在低电压驱动条件下具有极低的导通电阻。该器件在 VGS = -4.5V 时，RDS(on) 仅为 140mΩ，确保了在高电流负载下的低功耗表现，适用于对效率要求较高的便携式设备和电池管理系统。此外，该 MOSFET 的封装为 SOT-26，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，同时具备良好的热性能，确保在高负载下的稳定运行。
该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适应各种严苛的环境条件，具备良好的热稳定性和可靠性。其栅极阈值电压范围为 -0.5V 至 -1.2V，确保了器件在较低电压下也能可靠导通，适用于由低压控制器或微处理器驱动的应用场景。
ZXMN3A14FQTA 还具备快速开关特性，降低了开关损耗，提高了整体系统的效率。这使其成为负载开关、DC-DC 转换器、电机驱动和电源管理系统等应用的理想选择。此外，该器件在设计中考虑了高抗干扰能力和良好的 ESD（静电放电）保护性能，进一步提升了在复杂电磁环境下的稳定性和使用寿命。
ZXMN3A14FQTA 常用于便携式电子产品、电池管理系统、DC-DC 转换器、负载开关控制、电机驱动电路以及电源管理系统中。由于其低导通电阻和小封装特性，非常适合用于需要高效能和紧凑布局的设计场景。
ZXMN2A03F, ZXMP3A14F, BSS84, DMG3415
