型号：60EPU02PBF
　　制造商：Infineon Technologies
　　产品系列：OptiMOS?
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压VDS：60V
　　栅源电压VGS：±20V
　　连续漏极电流ID（@25°C）：190A
　　脉冲漏极电流IDM：600A
　　导通电阻RDS(on)（max）：0.75mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)（typ）：0.65mΩ @ VGS=10V
　　栅极电荷QG（typ）：74nC @ VGS=10V
　　输入电容Ciss（typ）：6800pF
　　开启延迟时间td(on)：18ns
　　关闭延迟时间td(off)：35ns
　　工作结温范围Tj：-55°C 至 +175°C
　　封装类型：PG-HSOF-8

60EPU02PBF作为Infineon OptiMOS?系列的一员，采用了先进的沟槽栅极垂直结构技术，显著降低了导通损耗和开关损耗，从而提高了整体系统效率。其极低的导通电阻RDS(on)，最大仅为0.75mΩ，在大电流应用中可有效减少I2R损耗，提升能效并降低散热需求。该器件具有优化的栅极设计，使得栅极电荷QG控制在74nC左右，有助于实现快速开关动作，适用于高频开关电源设计，如同步整流DC-DC变换器。此外，其输入电容Ciss典型值为6800pF，配合低米勒电容，可减少驱动功耗并抑制不必要的振荡现象。
　　该MOSFET具备出色的热性能，得益于PG-HSOF-8封装的高效散热设计，能够将芯片产生的热量迅速传导至PCB，从而维持较低的工作结温。其宽泛的工作结温范围从-55°C到+175°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行，适用于工业级和通信级设备。器件还具备良好的雪崩耐量和抗短路能力，增强了系统的鲁棒性。内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，适用于需要续流路径的应用场景，例如H桥电机驱动或同步整流拓扑中。
　　60EPU02PBF通过AEC-Q101认证的可能性较小（因其主要面向工业而非汽车），但仍具备高可靠性与长期供货保障。其无铅封装符合RoHS和无卤素要求，适应现代绿色电子制造趋势。此外，该器件支持并联使用，由于其正温度系数的RDS(on)，多个器件并联时电流分配更加均匀，有利于构建更高功率等级的解决方案。总体而言，60EPU02PBF是一款高性能、高集成度的功率MOSFET，特别适用于追求小型化、高效率和高可靠性的现代电源系统设计。

60EPU02PBF广泛应用于各类高效率、大电流的电源转换系统中。典型应用包括服务器和数据中心的VRM（电压调节模块）、多相同步降压转换器、电信整流器电源单元、工业电机驱动控制器以及电池供电系统的功率开关模块。此外，它也适用于UPS不间断电源、太阳能微逆变器中的直流开关环节，以及高端图形处理器和AI加速卡的板载电源管理电路。由于其卓越的导通和开关性能，该器件常被用于替代传统并联多个MOSFET的设计方案，从而简化PCB布局、提高功率密度并降低成本。在需要高效能量回收或双向功率流动的系统中，如电动汽车OBC（车载充电机）的辅助电源部分，60EPU02PBF也能发挥重要作用。其表面贴装封装适合自动化贴片工艺，适用于大规模生产环境下的回流焊组装流程。

IRF6668
　　BSC010N06NS5