时间：2025/7/5 4:44:57
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FN18N470J500PSG是一款由Fairchild（现为Onsemi安森美旗下品牌）推出的高压MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用N沟道技术，主要适用于高频开关电源、电机驱动、逆变器以及其他功率转换应用。其设计目标是提供高效率和低损耗的功率处理能力，同时支持紧凑型封装以满足现代电子设备的小型化需求。
该器件的最大耐压为470V，能够承受较高的漏源电压，同时具备较低的导通电阻，从而优化了其在高电流环境下的性能表现。
最大漏源电压：470V
连续漏极电流：18A
导通电阻（Rds(on)）：0.32Ω（典型值，在特定条件下）
栅极电荷：45nC（典型值）
输入电容：2100pF（典型值）
总功耗：290W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-247-3
FN18N470J500PSG具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，支持高达470V的工作电压，适合各类高压应用环境。
2. 较低的导通电阻（Rds(on)），有效减少导通损耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，降低开关损耗，特别适用于高频电路。
4. 强大的电流承载能力，连续漏极电流可达18A，确保在大功率场景下稳定运行。
5. 支持宽广的工作温度范围，从-55℃到+150℃，适应极端环境条件。
6. 符合RoHS标准，环保且满足全球市场的法规要求。
7. 可靠性高，经过严格测试以保证长期使用中的稳定性。
该器件广泛应用于多种功率电子领域，包括但不限于以下方面：
1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. 太阳能逆变器和其他可再生能源转换系统。
4. 不间断电源（UPS）系统。
5. LED驱动电源以及各类高效能功率转换模块。
6. 电动车充电装置及其他需要高压切换的应用场景。
IRFP460,
FQP18N50,
STP18NM50,
IXTP18N450,
INF547
