类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（Vds）：600V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：1.5A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为3.5Ω @ Vgs=10V
　　耗散功率（Ptot）：25W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装类型：TO-220 / DPAK
　　栅极电荷（Qg）：典型值为7.5nC

9NK60 MOSFET具有出色的开关性能和较低的导通损耗，适用于高频开关应用。其600V的漏源耐压使其能够在多种电源拓扑结构中稳定工作，例如反激式、正激式、半桥和全桥变换器。器件具备良好的热稳定性，可承受一定的瞬时过载电流，同时具备较高的雪崩能量耐受能力，增强了系统的可靠性。
　　此外，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽（通常为10V~20V），可兼容多种驱动IC，便于设计和应用。其低栅极电荷（Qg）特性有助于降低开关损耗，提高系统效率。在封装方面，TO-220封装便于散热和安装，而DPAK（SMD）封装则适合自动化贴片生产，提高生产效率。
　　该器件在设计时考虑了EMI（电磁干扰）控制，优化了内部结构以减少高频开关过程中产生的噪声，从而满足工业和消费类电子产品的电磁兼容性要求。

9NK60主要应用于开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动电源、电机驱动、电池充电器以及工业自动化设备中的功率控制电路。其高耐压、低导通电阻和良好热性能使其成为中高功率电源系统中理想的开关元件。此外，它也适用于需要高可靠性的家电、通信设备和医疗电子设备中的电源模块。

IRF740, 2SK2225, 2SK1318, FQA1N60C, FDPF1N60