时间：2025/6/9 18:38:46
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SI9936DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 TrenchFET Gen III 技术，旨在实现低导通电阻和高效率，特别适合于需要高效能开关的应用场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 ThermOPak (TO-263)，具备出色的散热性能，并且能够在较宽的工作电压范围内稳定运行。其典型应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动以及电源管理等。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：28A
导通电阻（Rds(on)）：2.4mΩ（在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：57nC
总电容：1980pF
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
SI9936DY-T1-E3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，可有效减少传导损耗，提高系统效率。
2. 高电流处理能力，适用于大功率应用场景。
3. 热增强型封装设计，改善了散热性能，从而提升了器件的可靠性。
4. 快速开关速度，降低了开关损耗。
5. 宽广的工作温度范围，确保在极端环境下的稳定性。
6. 符合 RoHS 标准，满足环保要求。
SI9936DY-T1-E3 广泛应用于各种电力电子领域，主要包括：
1. 开关模式电源（SMPS），如 AC-DC 和 DC-DC 转换器。
2. 电机控制和驱动电路。
3. 计算机及外设中的负载开关。
4. 工业自动化设备中的电源管理模块。
5. 电池管理系统（BMS）中的保护和切换功能。
6. 可再生能源系统，例如太阳能逆变器中的功率转换部分。
SI9937DY, SIH55N60E, IRF540N
