时间：2025/9/9 16:24:08
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RCH8011NP-100L 是一款由 Rohm（罗姆）公司生产的 N 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电池供电设备等领域。该器件采用高密度工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和良好的热稳定性，适合在中低功率应用中使用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：100V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：50A
导通电阻（Rds(on)）：10mΩ（典型值）
功耗（Pd）：100W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-220
极数：3 引脚
RCH8011NP-100L 具备出色的导通性能和开关特性，适用于高效率电源设计。其低导通电阻（Rds(on)）可有效降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 支持较高的栅极电压（±20V），具有良好的栅极氧化层保护，提高了器件的可靠性。
此外，RCH8011NP-100L 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度的应用环境。其热阻（Rth）较低，有助于在高温环境下维持稳定的电气性能。
该器件符合 RoHS 环保标准，无铅封装，适用于现代电子制造中的环保要求。RCH8011NP-100L 还具备良好的抗静电（ESD）能力，适用于对静电敏感的电路环境。
RCH8011NP-100L 广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。例如，在 DC-DC 转换器中作为主开关元件，用于提高转换效率和减小系统体积；在电机驱动电路中用于控制电机的启停和方向；在电池管理系统中作为负载开关，实现对电池充放电的控制。
此外，该器件也可用于工业自动化设备、通信电源、服务器电源、便携式电子产品以及汽车电子系统等。其优异的导通特性和高可靠性使其在需要高效能和长寿命的场合中表现突出。
由于其良好的热稳定性和封装散热性能，RCH8011NP-100L 特别适合用于需要长时间高负载运行的电源系统，如不间断电源（UPS）、逆变器和工业控制电源等。
SiHF50N100E, FCP50N100, FDP50N100, STP50N10
