时间：2025/6/20 22:38:36
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ZXMN3A06DN8TA 是一款由英飞凌（Infineon）推出的 N 沣 道功率 MOSFET，采用 PDFN8*8 封装形式。该器件专为高效率、低功耗应用设计，具有出色的导通电阻和开关性能，适用于各种消费类电子、工业以及通信设备中的电源管理解决方案。
这款 MOSFET 的主要特点是低导通电阻 (Rds(on)) 和高能效表现，有助于降低系统能耗并提升整体性能。其紧凑的封装使其非常适合空间受限的设计环境。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：3.5A
导通电阻：1.7mΩ
栅极电荷：21nC
总电容：440pF
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗，提高效率。
2. 高能效表现，特别适合对能耗要求严格的场景。
3. 良好的热稳定性，能够在较宽的工作温度范围内可靠运行。
4. PDFN8*8 封装，体积小巧且散热性能优异。
5. 快速开关能力，能够支持高频开关应用。
6. 高可靠性，经过严格的质量测试，确保长期稳定运行。
7. 符合 RoHS 标准，环保无铅设计。
1. 开关电源 (SMPS) 中的同步整流器。
2. DC-DC 转换器，用于降压或升压电路。
3. 电机驱动控制，例如小型直流电机或步进电机。
4. 电池管理系统 (BMS)，用于电池充放电保护。
5. 各种负载开关应用，如消费类电子产品中的电源管理。
6. 电信和网络设备中的高效电源模块。
7. 工业自动化设备中的功率控制单元。
ZXMN3A06FKA, ZXMN3A06FKA11, BSC017N06NS3
