CGA3E3NP02E122J080AA 是一款高性能的射频功率晶体管,主要应用于无线通信领域中的功率放大器。该晶体管采用先进的半导体工艺制造,具有高增益、高效率和良好的线性度特点,适合用于基站、无线电设备和其他射频系统中。
型号:CGA3E3NP02E122J080AA
类型:射频功率晶体管
封装:陶瓷密封
工作频率范围:50 MHz 至 250 MHz
输出功率:125 W(典型值)
增益:16 dB(典型值)
效率:65%(典型值)
最大漏极电压:50 V
最大栅极电压:±10 V
工作温度范围:-40°C 至 +100°C
存储温度范围:-55°C 至 +150°C
CGA3E3NP02E122J080AA 具有出色的射频性能,能够在较宽的频率范围内提供稳定的功率输出。
其高效的能量转换能力使其在高功率应用中表现出色,同时降低了散热需求。
该晶体管还具备优异的线性度和低失真特性,非常适合对信号质量要求较高的场景。
此外,其坚固的陶瓷封装设计能够提供卓越的可靠性和环境适应性,适用于各种苛刻的工作条件。
CGA3E3NP02E122J080AA 广泛应用于射频功率放大器的设计中,特别是在无线通信基础设施中。
具体应用包括:
- 基站功率放大器
- 固定无线接入设备
- 工业、科学和医疗(ISM)频段设备
- 测试与测量仪器
- 军事和航空航天通信系统
这款晶体管的高效率和稳定性使得它成为这些高性能应用的理想选择。
CGA3E3NP02E122J080AB
CGA3E3NP02E122J080AC