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W631GG8KB15I 发布时间 时间:2025/8/21 6:19:29 查看 阅读:8

W631GG8KB15I 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)类别,具备高速数据传输能力,广泛应用于嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品中。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,适用于需要高性能内存支持的场景。

参数

容量:1Gb(128MB)
  组织结构:16位 x 8(x8)
  电压:1.35V ~ 1.5V(支持低电压运行)
  时钟频率:高达800MHz
  数据速率:1600Mbps(DDR3-1600)
  封装类型:BGA
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  数据预取:8n预取架构
  突发长度:BL8(突发长度8)
  刷新周期:64ms

特性

W631GG8KB15I 是一款具有多项先进特性的DDR3 SDRAM芯片,旨在满足高性能与低功耗并重的应用需求。首先,该芯片支持低电压运行模式,主电压为1.35V,同时也兼容1.5V标准电压,使其在不同平台中具备良好的兼容性。这不仅降低了功耗,也有助于提高系统能效。
  其次,W631GG8KB15I 支持高达1600Mbps的数据速率,适用于需要高速数据处理的应用场景。其采用的8n预取架构提升了数据吞吐效率,同时BL8(突发长度8)模式可确保数据在连续传输时的高效性。芯片内部集成的自动刷新和自刷新机制,有效延长了数据保存时间,同时降低了外部控制器的负担。
  该芯片采用BGA封装技术,具有良好的电气性能和热稳定性,适合在空间受限的嵌入式系统中使用。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各类严苛环境下的工业和通信设备。
  此外,W631GG8KB15I 支持多种低功耗模式,包括待机模式、深度掉电模式和自刷新模式,能够在设备闲置时大幅降低能耗,延长设备续航时间,特别适用于便携式或电池供电设备。

应用

W631GG8KB15I 主要应用于需要高性能、低功耗内存支持的各类电子设备。其典型应用场景包括工业控制设备、通信模块、智能终端、便携式电子产品、网络设备以及嵌入式系统等。由于其支持宽温范围和多种低功耗模式,该芯片特别适用于户外设备、车载电子系统和物联网(IoT)设备中的内存扩展需求。

替代型号

MT48LC16M16A2B4-6A, EM68A160TS-6G, K4B2G1646Q-BCMA

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W631GG8KB15I参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装托盘
  • 产品状态停产
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3
  • 存储容量1Gb
  • 存储器组织128M x 8
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率667 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.425V ~ 1.575V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳78-TFBGA
  • 供应商器件封装78-WBGA(10.5x8)