W631GG8KB15I 是一款由 Winbond(华邦电子)生产的高性能、低功耗的DRAM(动态随机存取存储器)芯片。该芯片属于DDR3 SDRAM(双倍数据速率第三代同步动态随机存取存储器)类别,具备高速数据传输能力,广泛应用于嵌入式系统、工业控制、通信设备和消费类电子产品中。该芯片采用BGA(球栅阵列)封装,适用于需要高性能内存支持的场景。
容量:1Gb(128MB)
组织结构:16位 x 8(x8)
电压:1.35V ~ 1.5V(支持低电压运行)
时钟频率:高达800MHz
数据速率:1600Mbps(DDR3-1600)
封装类型:BGA
工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据预取:8n预取架构
突发长度:BL8(突发长度8)
刷新周期:64ms
W631GG8KB15I 是一款具有多项先进特性的DDR3 SDRAM芯片,旨在满足高性能与低功耗并重的应用需求。首先,该芯片支持低电压运行模式,主电压为1.35V,同时也兼容1.5V标准电压,使其在不同平台中具备良好的兼容性。这不仅降低了功耗,也有助于提高系统能效。
其次,W631GG8KB15I 支持高达1600Mbps的数据速率,适用于需要高速数据处理的应用场景。其采用的8n预取架构提升了数据吞吐效率,同时BL8(突发长度8)模式可确保数据在连续传输时的高效性。芯片内部集成的自动刷新和自刷新机制,有效延长了数据保存时间,同时降低了外部控制器的负担。
该芯片采用BGA封装技术,具有良好的电气性能和热稳定性,适合在空间受限的嵌入式系统中使用。其工业级工作温度范围(-40°C 至 +85°C)使其适用于各类严苛环境下的工业和通信设备。
此外,W631GG8KB15I 支持多种低功耗模式,包括待机模式、深度掉电模式和自刷新模式,能够在设备闲置时大幅降低能耗,延长设备续航时间,特别适用于便携式或电池供电设备。
W631GG8KB15I 主要应用于需要高性能、低功耗内存支持的各类电子设备。其典型应用场景包括工业控制设备、通信模块、智能终端、便携式电子产品、网络设备以及嵌入式系统等。由于其支持宽温范围和多种低功耗模式,该芯片特别适用于户外设备、车载电子系统和物联网(IoT)设备中的内存扩展需求。
MT48LC16M16A2B4-6A, EM68A160TS-6G, K4B2G1646Q-BCMA