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UPM1H3R3MDD 发布时间 时间:2025/10/6 19:10:28 查看 阅读:5

UPM1H3R3MDD是一款由ROHM Semiconductor生产的高性能、低功耗的P沟道功率MOSFET,采用先进的Trench MOS技术制造。该器件专为高效率电源管理应用而设计,适用于需要在有限空间内实现高效能转换的便携式电子设备。其主要特点包括低导通电阻(RDS(on))、高开关速度以及优异的热稳定性,能够在较宽的温度范围内稳定工作。UPM1H3R3MDD封装于小型化且具有良好散热性能的封装中,有助于减小整体PCB尺寸并提升系统集成度。由于采用了P沟道结构,该MOSFET在栅极驱动方面具有简化电路的优势,尤其适合用于负载开关、电池供电设备中的电源控制以及DC-DC转换器等场景。此外,该器件符合RoHS环保标准,并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证,表明其具备在汽车电子环境中长期可靠运行的能力。因此,UPM1H3R3MDD不仅广泛应用于消费类电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,也逐渐进入车载信息娱乐系统、LED照明驱动及车身控制模块等领域。

参数

型号:UPM1H3R3MDD
  制造商:ROHM Semiconductor
  晶体管类型:P沟道
  漏源电压(VDS):-20V
  栅源电压(VGS):±12V
  连续漏极电流(ID):-3.3A(@ VGS = -4.5V)
  脉冲漏极电流(IDM):-10A
  导通电阻 RDS(on):33mΩ(@ VGS = -4.5V)
  导通电阻 RDS(on):42mΩ(@ VGS = -2.5V)
  阈值电压(Vth):-1.0V ~ -1.8V
  输入电容(Ciss):500pF(@ VDS = 10V)
  输出电容(Coss):240pF(@ VDS = 10V)
  反向传输电容(Crss):60pF(@ VDS = 10V)
  栅极电荷(Qg):7nC(@ VGS = -4.5V, ID = -3.3A)
  功耗(Pd):1W(@ Ta = 25°C)
  工作结温范围(Tj):-55°C ~ +150°C
  存储温度范围(Tstg):-55°C ~ +150°C
  封装形式:DFN2020-6B

特性

UPM1H3R3MDD具备出色的电气特性和热稳定性,使其成为众多电源管理应用的理想选择。首先,其低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗,提升了整体系统的能效表现。在VGS = -4.5V条件下,RDS(on)仅为33mΩ,在轻载或中等负载工况下仍能保持较低的压降和发热水平,这对于电池供电设备延长续航时间至关重要。其次,该器件采用先进的Trench结构工艺,优化了载流子迁移路径,提高了单位面积内的电流承载能力,同时有效抑制了短沟道效应带来的性能退化问题。这种结构设计还增强了器件的抗雪崩能力和瞬态过压耐受性,提升了系统在异常情况下的鲁棒性。
  另一个关键特性是其快速的开关响应能力。得益于较低的输入电容和栅极电荷,UPM1H3R3MDD在高频开关操作中表现出色,能够实现更快的上升和下降时间,从而减少开关过程中的能量损耗。这对于现代高频率DC-DC变换器尤为重要,有助于提高电源转换效率并减小外围滤波元件的体积。此外,该MOSFET支持宽范围的工作结温(-55°C至+150°C),确保在极端环境温度下依然可靠运行,适用于工业级与汽车级应用场景。
  封装方面,UPM1H3R3MDD采用DFN2020-6B小型无铅封装,具有优异的散热性能和机械强度。该封装底部带有裸露焊盘,可通过PCB接地层实现高效热传导,进一步提升功率密度。同时,DFN封装具备良好的焊接可靠性和自动化生产兼容性,适合大规模SMT贴装工艺。结合其AEC-Q101认证资质,该器件满足汽车行业对元器件寿命、振动、湿度和温度循环等方面的严苛要求,可用于车载充电系统、车身电子控制单元等对安全性和稳定性要求极高的场合。

应用

UPM1H3R3MDD广泛应用于各类需要高效、紧凑型电源管理解决方案的电子系统中。典型应用之一是作为同步整流器或高端开关用于降压型(Buck)DC-DC转换器中,特别是在移动设备电源架构中发挥重要作用。例如,在智能手机和平板电脑中,它常被用作电池供电路径上的主控开关,配合控制器实现高效的电压调节和动态负载响应。由于其P沟道特性,无需额外的电荷泵电路即可完成高端驱动,简化了电源设计复杂度并降低成本。
  在便携式消费电子产品中,该器件也被广泛用于负载开关电路,用于控制不同功能模块的独立上电与断电,以实现精细化电源管理和节能目标。比如在蓝牙耳机、智能手表等设备中,UPM1H3R3MDD可用于切断显示屏、传感器或无线通信模块的供电,避免待机期间的漏电流浪费。
  此外,该MOSFET适用于电池管理系统(BMS)中的充放电控制回路,能够精确地控制电流流向并提供过流保护功能。在汽车电子领域,它可以用于车身控制模块中的灯光驱动、门锁控制、电动后视镜等低压电源切换应用。同时,因其具备良好的EMI性能和抗干扰能力,也适合部署在噪声敏感的音频设备或医疗电子装置中作为电源开关使用。总之,UPM1H3R3MDD凭借其高可靠性、小尺寸和高性能,已成为现代电子系统中不可或缺的关键元件之一。

替代型号

DMG2305UX-7
  FDS6680A
  AO3401A

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UPM1H3R3MDD参数

  • 制造商Nichicon
  • 产品种类铝质电解电容器 - 带引线
  • 电容3.3 uF
  • 容差20 %
  • 电压额定值50 Volts
  • 工作温度范围- 55 C to + 105 C
  • 端接类型Radial
  • 尺寸5 mm Dia. x 11 mm L
  • 产品Low Impedance Electrolytic Capacitors
  • 损耗因数 DF0.1
  • 引线间隔2 mm
  • 加载寿命2000 hr
  • 纹波电流66 mAmps
  • 系列PM
  • 工厂包装数量200