时间：2025/4/29 12:43:25
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NSR20F20NXT5G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率功率晶体管，专为高频、高压应用场景设计。该器件采用先进的封装技术，具有出色的开关性能和热管理能力，适用于电源转换、通信设备以及工业自动化等领域。
型号：NSR20F20NXT5G
类型：增强型场效应晶体管（eGaN FET）
最大漏源电压（Vds）：600 V
连续漏极电流（Id）：20 A
栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.5 V ~ 4.0 V
导通电阻（Rds(on)）：35 mΩ（典型值，@ Vgs=10V）
开关速度：纳秒级
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-247-3L
NSR20F20NXT5G 拥有低导通电阻和快速开关速度，能够显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体系统效率。
该器件采用氮化镓材料制造，具备更高的击穿电场强度和热稳定性，相比传统硅基MOSFET更适合高频、高压应用。
此外，其优化的封装设计增强了散热性能，使得在高功率密度场景下仍能保持良好的可靠性。
其栅极驱动要求与标准硅MOSFET兼容，便于直接替代或升级现有设计，减少重新设计的工作量。
同时，它支持多种保护机制，包括过流保护和短路保护，确保在极端条件下也能安全R20F20NXT5G 广泛应用于高效功率转换领域，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）
- 太阳能逆变器
- 电动车辆充电器
- 数据中心供电模块
- 工业电机驱动
- 射频放大器
- 高频通信设备
由于其出色的电气性能和可靠性，这款器件成为需要高性能功率管理解决方案的理想选择。
NSR20F20NXT5GTR,
NXR20F20NXT5G,
GXT20F20N600
