时间：2025/7/26 2:33:14
阅读：3
APTC60TDUM35PG是一款由Rohm Semiconductor（罗姆半导体）制造的功率MOSFET晶体管。这款MOSFET属于N沟道增强型功率场效应晶体管，设计用于高功率应用，如电源转换、电机控制、逆变器和DC-DC转换器等场景。该器件采用TO-263（D2PAK）封装，具备较高的热稳定性和可靠性。APTC60TDUM35PG的性能参数适用于中高功率开关应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)）以降低导通损耗，同时具备良好的耐压性能。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：60A
漏源电压（Vds）：35V
栅源电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：14.5mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
功耗（Pd）：160W
APTC60TDUM35PG具有多个显著的电气和热性能优势，使其在多种功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）仅为14.5mΩ，这有助于减少导通损耗，提高系统效率。其次，该器件能够承受高达60A的连续漏极电流，适用于需要高电流承载能力的功率电路。
该MOSFET的漏源电压为35V，适用于低压功率转换应用，例如电池供电设备、DC-DC转换器和电机控制模块。此外，其栅源电压范围为±20V，使得在驱动过程中具备较高的抗干扰能力，避免误触发。
TO-263（D2PAK）封装不仅提供了良好的散热性能，还便于PCB安装和焊接。该封装设计使得器件在高功率操作下仍能保持较低的热阻，确保长时间运行的稳定性。
APTC60TDUM35PG的工作温度范围从-55°C到+175°C，使其能够在极端环境条件下可靠运行。这一特性对于工业自动化、汽车电子和可再生能源系统中的功率管理模块尤为重要。
此外，该MOSFET具有快速开关能力，降低了开关损耗，适用于高频开关应用。结合其优异的热管理和导通性能，该器件能够在高负载条件下提供稳定的性能。
APTC60TDUM35PG广泛应用于多个领域，包括电源管理系统、电机控制、逆变器、DC-DC转换器、电池充电器、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源管理方面，该器件可用于高效率的功率转换模块，提升整体系统能效；在电机控制中，它能够提供高电流输出，确保电机稳定运行；在逆变器和DC-DC转换器中，其快速开关特性和低导通电阻使其成为理想的功率开关元件。
在汽车电子领域，该MOSFET可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等。此外，在可再生能源系统如太阳能逆变器中，APTC60TDUM35PG能够承受高电流和高热负荷，保障系统的稳定性和可靠性。
由于其优异的热性能和高电流能力，该器件也常用于工业自动化设备中的功率开关电路，例如伺服电机驱动器、机器人控制系统和工业电源模块。
IRF1405, Si4410BDY, AUIRF1405, FDD6680, APT60D35BI
