ZRB18AR61A226ME01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻和快速开关特性,能够在高频工作条件下保持高效和稳定的表现。
该芯片适用于工业级和消费级电子设备,能够满足严格的性能要求和可靠性标准。
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
持续漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):2.2mΩ
栅极电荷(Qg):35nC
开关速度:快速
工作温度范围:-55°C to 150°C
ZRB18AR61A226ME01L 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少功耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力,适合高频应用环境。
3. 高耐压和大电流处理能力,确保在复杂负载条件下的稳定性。
4. 出色的热性能设计,允许更高的功率密度。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 内置保护功能(如过流保护),进一步增强其耐用性。
ZRB18AR61A226ME01L 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS)。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. 其他需要高效功率转换和开关操作的应用场景。
ZRB18AR61A226ME02H, ZRB18AR61A226ME03L