时间：2025/6/30 11:52:12
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ZRB18AR61A226ME01L 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率电源转换和电机驱动等应用。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频工作条件下保持高效和稳定的表现。
该芯片适用于工业级和消费级电子设备，能够满足严格的性能要求和可靠性标准。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
持续漏极电流(Id)：18A
导通电阻(Rds(on))：2.2mΩ
栅极电荷(Qg)：35nC
开关速度：快速
工作温度范围：-55°C to 150°C
ZRB18AR61A226ME01L 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少功耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，适合高频应用环境。
3. 高耐压和大电流处理能力，确保在复杂负载条件下的稳定性。
4. 出色的热性能设计，允许更高的功率密度。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 内置保护功能（如过流保护），进一步增强其耐用性。
ZRB18AR61A226ME01L 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电机驱动与控制电路。
3. 电池管理系统 (BMS)。
4. 工业自动化设备中的功率管理。
5. 汽车电子系统中的负载切换。
6. 其他需要高效功率转换和开关操作的应用场景。
ZRB18AR61A226ME02H, ZRB18AR61A226ME03L
