UMK063CG160JT-F 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高效功率晶体管,广泛应用于高频率、高效率的电源转换场景。其设计结合了低导通电阻和快速开关特性,能够显著提升系统性能并降低能量损耗。该器件适用于高频DC-DC转换器、无线充电设备以及LED驱动等应用。
类型:增强型场效应晶体管
材料:氮化镓(GaN)
最大漏源电压:650V
最大连续漏极电流:16A
导通电阻:160mΩ
栅极电荷:70nC
开关频率:高达5MHz
工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
UMK063CG160JT-F 提供了卓越的电气性能,主要特点包括:
1. 超低导通电阻,确保在高电流应用中减少功耗。
2. 快速开关速度,支持高频操作,从而减小磁性元件体积和整体解决方案尺寸。
3. 高耐压能力(650V),适用于多种高压场景。
4. 内置保护功能,例如过流保护和短路保护,增强了器件的可靠性。
5. 小巧封装设计,便于集成到紧凑型电路板中。
这些特点使该晶体管非常适合要求高效率和高密度功率转换的应用场景。
这款功率晶体管主要应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)
2. 无线充电模块
3. LED照明驱动
4. DC-DC转换器
5. 充电器和适配器
6. 汽车电子中的车载充电器
由于其高效的功率转换能力和高频工作特性,它在需要高性能电源管理的场合中表现尤为出色。
UMK063CG120JT-F
UMK063DG160JT-F
STGAP100H
GAN063-650WSA