时间：2025/6/4 20:52:15
阅读：8
SI1417EDH-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用小型化的封装设计，适用于各种需要高效率开关和低导通电阻的应用场景。其出色的电气性能使其在消费电子、通信设备以及工业控制领域中得到广泛应用。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：2.9A
栅极-源极电压：±20V
导通电阻：120mΩ
总功耗：1.2W
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
SI1417EDH-T1-E3 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻，能够有效减少功率损耗，提高系统效率。
2. 小型化封装（TSSOP），节省电路板空间，适合紧凑型设计需求。
3. 高速开关能力，支持高频应用，例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
4. 强大的抗静电能力（ESD），增强了产品的可靠性和稳定性。
5. 工作温度范围宽广，适应多种恶劣环境条件下的运行要求。
这款 MOSFET 常用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. 电池管理系统的充放电控制。
3. 电机驱动电路中的开关元件。
4. 消费类电子产品中的负载切换。
5. 各种保护电路，如过流保护和短路保护。
SI1417ADY-T1-E3, SI1417BDY-T1-E3
