您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > SI1417EDH-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3 发布时间 时间:2025/6/4 20:52:15 查看 阅读:8

SI1417EDH-T1-E3 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件采用小型化的封装设计,适用于各种需要高效率开关和低导通电阻的应用场景。其出色的电气性能使其在消费电子、通信设备以及工业控制领域中得到广泛应用。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:2.9A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻:120mΩ
  总功耗:1.2W
  工作温度范围:-55℃ 至 150℃

特性

SI1417EDH-T1-E3 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻,能够有效减少功率损耗,提高系统效率。
  2. 小型化封装(TSSOP),节省电路板空间,适合紧凑型设计需求。
  3. 高速开关能力,支持高频应用,例如 DC-DC 转换器和 PWM 控制电路。
  4. 强大的抗静电能力(ESD),增强了产品的可靠性和稳定性。
  5. 工作温度范围宽广,适应多种恶劣环境条件下的运行要求。

应用

这款 MOSFET 常用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
  2. 电池管理系统的充放电控制。
  3. 电机驱动电路中的开关元件。
  4. 消费类电子产品中的负载切换。
  5. 各种保护电路,如过流保护和短路保护。

替代型号

SI1417ADY-T1-E3, SI1417BDY-T1-E3

SI1417EDH-T1-E3推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

SI1417EDH-T1-E3资料 更多>

  • 型号
  • 描述
  • 品牌
  • 阅览下载

SI1417EDH-T1-E3参数

  • 数据列表SI1417EDH
  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)12V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2.7A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C85 毫欧 @ 3.3A,4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)450mV @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs8nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds-
  • 功率 - 最大1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商设备封装SC-70-6
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SI1417EDH-T1-E3TR