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FS5ASJ-2 发布时间 时间:2025/6/27 11:30:36 查看 阅读:8

FS5ASJ-2 是一款高性能的功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和良好的热性能等优点,适合于需要高效能和高可靠性的应用环境。
  FS5ASJ-2 属于 N 沟道增强型 MOSFET,其设计旨在降低功耗并提高系统效率。由于其出色的电气特性和可靠性,它在消费电子、工业控制以及汽车电子领域中得到了广泛应用。

参数

型号:FS5ASJ-2
  类型:N沟道增强型MOSFET
  封装形式:TO-220
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):30A
  导通电阻(Rds(on)):1.8m):140W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  栅极电荷(Qg):35nC
  反向恢复时间(trr):45ns

特性

FS5ASJ-2 的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够显著减少导通损耗,提高整体系统效率。
  2. 快速的开关速度,支持高频应用,减少开关损耗。
  3. 高额定电流能力,使其适用于大功率负载的应用场景。
  4. 良好的热稳定性,即使在高温环境下也能保持稳定的性能。
  5. 紧凑的 TO-220 封装形式,便于安装和散热设计。
  6. 宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境条件下的使用需求。
  7. 内置静电保护功能,增强了器件的可靠性。

应用

FS5ASJ-2 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源 (SMPS) 和直流-直流转换器中的功率开关。
  2. 电机驱动电路中的功率级元件。
  3. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代方案。
  4. 工业设备中的功率管理模块。
  5. 电池管理系统 (BMS) 中的大电流开关。
  6. 逆变器和 UPS 系统中的关键功率元件。
  7. 消费类电子产品中的高效能电源管理解决方案。

替代型号

FS5ASJ-3, IRFZ44N, FDP55N10

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