UMK063CG080DT-F 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET芯片,属于 UM 系列。该器件主要应用于需要高效率和低功耗的场景中,例如开关电源、电机驱动器和工业设备等。这款 MOSFET 具有出色的导通电阻性能以及快速的开关特性,可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
UMK063CG080DT-F 采用 TO-263 封装形式,适合表面贴装工艺,同时具备较高的电流承载能力和耐热性能。
最大漏源电压:650V
连续漏极电流:8A
导通电阻:0.45Ω
栅极电荷:17nC
开关时间:ton=85ns, toff=49ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
1. 高耐压能力,适用于多种高压应用环境。
2. 极低的导通电阻,能够显著减少传导损耗。
3. 快速开关速度,有助于提高工作效率和降低电磁干扰(EMI)。
4. 优秀的热稳定性,保证在高温条件下可靠运行。
5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
6. TO-263 封装提供良好的散热性能和机械强度。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换电路。
2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
3. LED 驱动器和照明系统的功率管理。
4. 适配器和充电器的同步整流电路。
5. 各种消费类电子产品中的 DC/DC 转换模块。
UMK063CG080DT-A, UMK063CG080DTR-F, IRF840