您好,欢迎来到维库电子市场网 登录 | 免费注册

您所在的位置:电子元器件采购网 > IC百科 > UMK063CG080DT-F

UMK063CG080DT-F 发布时间 时间:2025/7/12 18:01:29 查看 阅读:12

UMK063CG080DT-F 是一款由东芝(Toshiba)生产的功率MOSFET芯片,属于 UM 系列。该器件主要应用于需要高效率和低功耗的场景中,例如开关电源、电机驱动器和工业设备等。这款 MOSFET 具有出色的导通电阻性能以及快速的开关特性,可以有效降低功率损耗并提升系统效率。
  UMK063CG080DT-F 采用 TO-263 封装形式,适合表面贴装工艺,同时具备较高的电流承载能力和耐热性能。

参数

最大漏源电压:650V
  连续漏极电流:8A
  导通电阻:0.45Ω
  栅极电荷:17nC
  开关时间:ton=85ns, toff=49ns
  工作结温范围:-55℃至+150℃

特性

1. 高耐压能力,适用于多种高压应用环境。
  2. 极低的导通电阻,能够显著减少传导损耗。
  3. 快速开关速度,有助于提高工作效率和降低电磁干扰(EMI)。
  4. 优秀的热稳定性,保证在高温条件下可靠运行。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
  6. TO-263 封装提供良好的散热性能和机械强度。

应用

1. 开关模式电源(SMPS)中的功率转换电路。
  2. 工业控制设备中的电机驱动电路。
  3. LED 驱动器和照明系统的功率管理。
  4. 适配器和充电器的同步整流电路。
  5. 各种消费类电子产品中的 DC/DC 转换模块。

替代型号

UMK063CG080DT-A, UMK063CG080DTR-F, IRF840

UMK063CG080DT-F推荐供应商 更多>

  • 产品型号
  • 供应商
  • 数量
  • 厂商
  • 封装/批号
  • 询价

UMK063CG080DT-F参数

  • 现有数量0现货
  • 价格15,000 : ¥0.03840卷带(TR)
  • 系列M
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态不适用于新设计
  • 电容8 pF
  • 容差±0.5pF
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数C0G,NP0
  • 工作温度-55°C ~ 125°C
  • 特性-
  • 等级-
  • 应用通用
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0201(0603 公制)
  • 大小 / 尺寸0.024" 长 x 0.012" 宽(0.60mm x 0.30mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.013"(0.33mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-