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DSE015 发布时间 时间:2025/9/21 8:09:15 查看 阅读:17

DSE015是一款由Diodes Incorporated生产的双肖特基势垒二极管,专为高频开关电源应用设计。该器件采用紧凑的表面贴装SOD-323封装,具有低正向电压降和快速反向恢复时间的特点,适用于需要高效率和小尺寸的应用场景。DSE015中的两个二极管以共阴极配置连接,使其特别适合于双路输出整流或续流保护电路中使用。该器件广泛应用于便携式电子设备、电源适配器、DC-DC转换器以及电池充电管理电路等场合。由于其优异的热性能和可靠性,DSE015能够在较宽的温度范围内稳定工作,满足工业级和消费类电子产品的需求。此外,该器件符合RoHS环保要求,并具备良好的抗潮湿能力(MSL等级1),适合无铅回流焊工艺。在设计上,DSE015优化了寄生参数,降低了开关损耗,从而提升了整体系统能效。

参数

型号:DSE015
  制造商:Diodes Incorporated
  封装类型:SOD-323
  二极管配置:双共阴极
  最大重复峰值反向电压(VRRM):40V
  最大直流阻断电压(VR):40V
  平均整流电流(IO):150mA(单个二极管)
  峰值浪涌电流(IFSM):0.5A
  最大正向压降(VF):450mV @ 150mA, 25°C
  反向漏电流(IR):0.1μA @ 25°C, 40V
  反向恢复时间(trr):4ns 典型值
  工作结温范围(TJ):-55°C 至 +125°C
  存储温度范围(TSTG):-55°C 至 +150°C

特性

DSE015的核心优势在于其采用肖特基势垒技术,这使得它相较于传统的PN结二极管具有更低的正向导通压降和更快的开关响应速度。其典型的正向压降仅为450mV,在150mA的工作电流下显著减少功率损耗,提高了电源系统的转换效率。这种低VF特性对于电池供电设备尤为重要,因为它可以延长电池使用寿命并减少发热问题。同时,由于肖特基二极管本质上属于多数载流子器件,不存在少子存储效应,因此反向恢复时间极短,典型值仅为4ns,有效抑制了开关过程中的反向恢复电流尖峰,降低了电磁干扰(EMI)风险,使DSE015非常适合用于高频开关电源拓扑结构如同步整流、BUCK/BOOST变换器中。
  该器件的双共阴极结构允许两个独立的肖特基二极管共享同一个阴极端子,这一设计简化了PCB布局布线,尤其适用于双通道DC-DC转换器或需要双路续流路径的应用。SOD-323封装体积小巧(约1.7mm x 1.25mm x 1.1mm),非常适合空间受限的高密度电路板设计。尽管尺寸微小,但其内部结构经过优化,具备良好的热传导性能,可在环境温度高达85°C的情况下持续运行。此外,DSE015通过AEC-Q101认证的可能性较高(需查证具体批次),表明其在汽车电子应用中也具备一定的可靠性基础。
  从制造工艺来看,DSE015采用先进的芯片贴装技术和金丝键合工艺,确保长期使用的机械稳定性和电气可靠性。产品出厂前经过严格的测试筛选,包括高温反偏(HTRB)、温度循环和湿度敏感度等级(MSL1)评估,保证了在各种恶劣环境下的稳定性。其无铅且符合RoHS指令的设计,符合现代绿色电子产品的生产标准。总体而言,DSE015凭借其高性能、小尺寸和高可靠性,成为众多低功率高频整流应用的理想选择。

应用

DSE015常用于各类小型化、高效率的电源管理系统中。典型应用场景包括便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机等内部的DC-DC转换电路,作为续流二极管或防反接保护元件;在AC-DC电源适配器中用于次级侧整流环节,尤其是在多路输出设计中发挥双通道整流功能;在电池充电管理模块中用于防止电池反向放电或实现充放电路径隔离;在USB供电电路(如USB PD或QC协议支持设备)中用于电压路径控制与电流导向;在FPGA、DSP、MCU等数字处理器件的辅助电源轨中提供低损耗的稳压支持;还可用于LED驱动电路中的箝位保护,吸收电感产生的反向电动势;此外,在汽车电子中的低功耗模块如车载信息娱乐系统、传感器供电单元中也有广泛应用潜力。由于其高频特性良好,DSE015也适用于射频能量采集、无线充电接收端等新兴技术领域。

替代型号

MBRS130LT1G

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