类型：N 沟道
　　漏源电压（Vds）：800 V
　　连续漏极电流（Id）：6 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.45 Ω
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2 V 至 4 V
　　最大功耗（Pd）：50 W
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

FCH060N80_F155 的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这使得该器件在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该 MOSFET 的漏源电压（Vds）高达 800 V，使其适用于高压应用场景，如开关电源（SMPS）、逆变器和电机驱动器。
　　另一个重要的特性是其栅极阈值电压（Vgs(th)）在 2 V 至 4 V 之间，这使得该器件能够与标准逻辑电平驱动电路兼容，从而简化了驱动电路的设计。此外，FCH060N80_F155 的最大连续漏极电流为 6 A，能够满足中等功率应用的需求。
　　该器件还具备良好的热稳定性，最大功耗为 50 W，并且可以在 -55°C 至 +150°C 的温度范围内工作，适用于各种严苛的环境条件。FCH060N80_F155 的封装形式为 TO-220，这种封装提供了良好的散热性能，并且便于安装和焊接。

FCH060N80_F155 常用于各种功率电子设备中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，在开关电源（SMPS）中，该 MOSFET 可作为主开关元件，负责将输入的直流电压转换为高频交流信号，以便通过变压器进行电压变换。此外，该器件也可用于电机驱动器中，控制电机的转速和方向，提供高效的电机控制解决方案。
　　在电池管理系统（BMS）中，FCH060N80_F155 可用于实现电池的充放电控制和保护功能，确保电池组的安全运行。由于其高压和高电流能力，该 MOSFET 还适用于逆变器和不间断电源（UPS）系统，将直流电源转换为交流电源以供负载使用。
　　除了上述应用外，FCH060N80_F155 还可用于 LED 照明驱动器、电焊机、感应加热设备等高功率应用。其高开关速度和低导通电阻使其在这些应用中表现出色，能够有效降低功率损耗，提高系统的整体效率。

FQP6N80C, STF8NM80, IRF840