时间：2025/8/29 18:28:46
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HIR7373C 是一款由 Renesas（瑞萨电子）生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高功率和高频率的应用场合。这款MOSFET采用了先进的沟槽式技术，具备较低的导通电阻和较高的效率，适用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制、电池管理系统等应用领域。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：100A
漏极-源极击穿电压（VDS）：30V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大为5.7mΩ @ VGS=10V
功率耗散（PD）：200W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：H8FL
HIR7373C 具备多项优良的电气特性和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
首先，其低导通电阻（RDS(on)）使得在高电流应用中功率损耗显著降低，提高了系统的整体效率。该器件在VGS=10V时，RDS(on)最大为5.7mΩ，能够有效减少导通状态下的能量损耗。
其次，HIR7373C 支持高达100A的连续漏极电流，适用于需要高电流承载能力的应用场景。同时，其漏极-源极击穿电压为30V，能够适应多种中低电压功率转换需求。
该MOSFET采用了先进的沟槽式结构技术，有助于提升单位面积内的电流密度，并优化了热性能，使得在高负载条件下依然能够保持良好的散热效果。
此外，HIR7373C 采用H8FL封装，具有较大的封装尺寸，能够提供良好的热管理和机械稳定性，适合在工业环境和高可靠性要求的设备中使用。
最后，其工作温度范围宽广，从-55°C至+175°C，适用于严苛环境条件下的应用，如汽车电子、工业自动化和能源管理系统。
HIR7373C 广泛应用于多个高功率和高效率要求的电子系统中。在电源管理系统中，它常用于同步整流、负载开关和DC-DC转换器中，以提高电源转换效率并减少发热。在汽车电子领域，该MOSFET可用于电池管理系统（BMS）、电动助力转向系统（EPS）和车载充电器（OBC）等应用，其高可靠性和宽温度范围使其特别适合车载环境。此外，在工业自动化和电机控制系统中，HIR7373C 可作为高侧或低侧开关，用于控制大功率负载，如直流电机、继电器和电磁阀等。它还适用于储能系统、不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源应用领域。
IRF1324S、SiR132DP、IPB013N04NG、NTMFS5C428NWT、FDMS7610
