时间：2025/9/2 8:01:55
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H56C8H24AIR-S2C是一款由Hynix（海力士）生产的DRAM（动态随机存取存储器）芯片。该芯片采用先进的半导体制造工艺，具备高速数据读写能力，适用于需要大量数据缓存和快速访问的场景。H56C8H24AIR-S2C属于同步动态随机存取存储器（SDRAM）类别，支持高速时钟同步操作，适用于现代电子设备中的内存扩展和高性能计算需求。
容量：512MB
组织结构：x8/ x16/ x32
电压：1.8V
封装类型：BGA（球栅阵列封装）
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据传输速率：高达2400Mbps
接口类型：DDR4
刷新周期：64ms
封装尺寸：128-ball
时钟频率：1200MHz
H56C8H24AIR-S2C是一款高性能的DRAM芯片，具有出色的稳定性和可靠性，适用于苛刻的工业和商业应用环境。其采用先进的DDR4接口技术，支持更高的数据传输速率和更低的功耗，相比前代DDR3 SDRAM，DDR4在能效和带宽方面都有显著提升。
该芯片支持自动刷新和自刷新功能，能够在不中断系统运行的情况下保持数据完整性，从而提高系统的可靠性和稳定性。此外，H56C8H24AIR-S2C还支持多种低功耗模式，包括深度掉电模式和温度补偿自刷新模式，可在不同工作条件下优化功耗，延长设备电池寿命。
该DRAM芯片的BGA封装设计提供了良好的电气性能和散热能力，确保在高频率操作下的信号完整性和稳定性。此外，其128-ball封装结构使得芯片在PCB上的布局更加灵活，有助于提高电路板的空间利用率。
工作温度范围为-40°C至+85°C，使其能够在广泛的工业温度范围内稳定运行，适用于各种严苛环境下的应用，如通信设备、服务器、嵌入式系统和工业自动化设备等。
H56C8H24AIR-S2C广泛应用于需要大容量高速内存的电子设备中，包括但不限于工业控制设备、嵌入式系统、网络设备、服务器、高端消费电子产品（如游戏主机、高性能计算设备）以及需要长时间稳定运行的监控系统等。
H56C8H24AMR-S2C, H56C8H24AUR-S2C
