时间：2025/9/12 12:58:41
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PST9128NR 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的双N沟道增强型功率MOSFET，封装为PowerSO-10。该器件设计用于需要高效率和低导通电阻的应用场景，具备良好的热稳定性和高可靠性。其主要特点包括低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和高工作电压，适用于多种功率管理应用。
类型：功率MOSFET
晶体管配置：双N沟道
最大漏源电压（VDS）：30V
最大漏极电流（ID）：4A（单通道）
导通电阻（RDS(on)）：38mΩ @ VGS = 4.5V
栅极阈值电压（VGS(th)）：1.0V ~ 2.5V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：PowerSO-10
安装类型：表面贴装
PST9128NR 的核心特性在于其双N沟道MOSFET结构，使其能够在高频率开关应用中表现出色。其低导通电阻有助于降低功率损耗，提高系统效率。该器件在高温环境下依然保持稳定工作，具有良好的热稳定性。此外，PST9128NR 还具备较高的电流承载能力，使其适用于需要持续高负载的场景。
在封装方面，PowerSO-10 是一种紧凑型表面贴装封装，具有良好的散热性能，适合高密度PCB设计。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在多种控制电路中灵活使用，兼容常见的3.3V和5V逻辑电平驱动器。PST9128NR 也具有较高的抗静电能力，增强了在实际应用中的可靠性。
由于其双MOSFET结构，PST9128NR 可用于半桥或全桥拓扑结构中，适用于DC-DC转换器、电机控制、负载开关、电源管理和电池供电设备等多种应用场合。
PST9128NR 主要用于电源管理和功率控制领域。常见应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池充电电路、负载开关以及各种嵌入式系统中的功率开关元件。其优异的导通性能和热稳定性使其特别适用于对能效和散热要求较高的便携式设备和工业控制系统。
IPD90N03C4-02, STD92N3LLH6, STD90N3LH6, STN90N3LLH6
