容量：16MB
　　组织结构：1M x 16位
　　封装类型：TSOP
　　工作电压：3.3V
　　访问时间：60ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　接口类型：并行接口
　　刷新周期：64ms
　　时钟频率：最大166MHz
　　数据保持电压：2.3V 至 3.6V

MCM5118165BJ60 具备多项适用于嵌入式系统和传统计算平台的特性。首先，该芯片采用了快速页面模式（Fast Page Mode），可以在连续访问同一行地址时提高数据访问效率。其次，其16MB的存储容量对于当时的应用场景来说提供了较高的数据存储密度，适用于图像缓冲、临时存储和高速缓存等用途。
　　此外，该芯片的TSOP封装形式使其具备良好的电气性能和热稳定性，同时占用较小的PCB空间，适合高密度电路设计。工业级的工作温度范围确保其在各种恶劣环境下的稳定运行，适用于工业控制、车载系统和通信设备等应用场景。
　　其60ns的访问时间在当时属于较高性能的DRAM规格，能够满足对响应时间要求较高的系统需求。支持64ms刷新周期，使得内存控制器可以有效地管理数据完整性而不会对系统性能造成显著影响。电源电压为3.3V，符合当时主流的低功耗设计趋势，同时兼容多种电源管理系统。
　　该芯片的并行接口设计提供了较高的数据吞吐能力，适合需要高速数据传输的应用，例如图形处理和实时数据采集系统。

MCM5118165BJ60 被广泛应用于多个需要高速存储器支持的领域。其中，最常见的应用包括早期个人计算机（如基于Pentium处理器的PC）的系统内存模块（SIMM或DIMM）、图形加速卡的帧缓冲存储器、嵌入式系统的主存或缓存，以及工业自动化设备中的临时数据存储单元。
　　在图形处理领域，由于其高带宽和相对较大的容量，MCM5118165BJ60 常用于早期显卡作为显存，用于存储显示缓冲区和纹理数据。此外，在通信设备中，该芯片可用于存储临时路由表、数据缓冲区等。
　　在嵌入式系统中，特别是在没有使用更先进SDRAM或DDR内存的老旧系统中，MCM5118165BJ60 可作为主要的外部存储器使用，支持微控制器或数字信号处理器（DSP）进行高速数据处理。
　　随着技术的发展，虽然FPM DRAM已经被更高效的SDRAM和DDR系列内存取代，但在一些遗留系统、维修替换或特定工业应用中，MCM5118165BJ60 仍然具有一定的使用价值。

TC51V1616BTS-60, KM416S2030CT-60, CY7C1816VCT-60