AP57P300 时间：2025/9/13 5:11:32 阅读：33

AP57P300 是一款由 Diodes 公司推出的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和负载开关等场景。该器件采用先进的沟槽技术，能够在低电压（如 3.3V 或 5V）控制下实现高效的功率传输。AP57P300 具有低导通电阻、高耐压和快速开关特性，适合用于 DC-DC 转换器、电池管理系统、电源管理模块以及其他需要高效率功率控制的电路中。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：5A（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：55mΩ（@VGS=10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：70mΩ（@VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：SOT223
　　栅极电荷（Qg）：15nC

特性

AP57P300 采用了先进的沟槽型 MOSFET 技术，使其在低栅极电压驱动下仍能保持较低的导通电阻，从而减少导通损耗并提高系统效率。其最大漏源电压为 30V，能够适应多种中低功率应用场景。该器件的导通电阻在 VGS=10V 时仅为 55mΩ，在 VGS=4.5V 时也仅为 70mΩ，这使得它适用于由 5V 或更低电压供电的控制系统。此外，AP57P300 具备较强的电流承载能力，额定连续漏极电流可达 5A，适合用于中等功率负载的开关控制。
　　该 MOSFET 内部结构优化了热阻特性，使得其在高功率工作状态下仍能保持良好的热稳定性，从而提升整体系统的可靠性。SOT223 封装形式不仅节省空间，而且具备良好的散热性能，适用于高密度 PCB 设计。此外，AP57P300 的栅极电荷（Qg）仅为 15nC，有助于降低开关损耗，提升开关速度，适用于高频开关应用。
　　AP57P300 还具备良好的抗雪崩击穿能力和过温保护特性，能够在极端工作条件下保持稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），增强了与不同控制电路的兼容性。

应用

AP57P300 广泛应用于多种电源管理系统中，包括但不限于 DC-DC 转换器、同步整流电路、负载开关控制、电池供电设备、便携式电子设备（如笔记本电脑、平板电脑、智能移动设备）、工业控制系统以及电源管理模块等。在同步整流器中，它可以作为高边开关，有效降低导通损耗并提高转换效率。在负载开关电路中，AP57P300 可以用于控制电源输出，实现对不同负载的独立供电管理。由于其具备良好的热稳定性和抗过载能力，该器件也常用于对可靠性要求较高的工业控制设备和通信设备中。