2FI50G-100D 时间：2025/8/9 15:30:58 阅读：22

2FI50G-100D 是一款由 IXYS 公司生产的高功率双极型晶体管（BJT），专为高频和高功率应用设计。该晶体管具有较高的电流容量和耐压能力，适用于射频（RF）功率放大器、工业加热设备、等离子发生器以及医疗设备等高要求的场景。作为一款NPN型晶体管，2FI50G-100D能够在高温和高电压条件下稳定工作，具备优异的可靠性和耐用性。

参数

类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　最大集电极电流（IC）：50A
　　最大功率耗散（PD）：300W
　　工作温度范围：-65°C 至 +150°C
　　增益带宽积（fT）：30MHz
　　电流增益（hFE）：在IC=5A时典型值为50
　　封装类型：TO-264

特性

2FI50G-100D 拥有多项优异的电气和物理特性，使其在高功率应用中表现出色。
　　首先，其最大集电极-发射极电压（VCEO）为100V，能够在高电压环境下稳定运行，适用于需要高压操作的电源和放大器设计。
　　其次，该晶体管的最大集电极电流（IC）为50A，支持大电流操作，适合高功率输出需求。
　　最大功率耗散（PD）为300W，确保其能在高功率条件下长时间工作而不发生热失效。
　　此外，2FI50G-100D 具有高达30MHz的增益带宽积（fT），适用于高频信号放大和调制解调应用。
　　该晶体管采用TO-264封装，具备良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定。
　　其工作温度范围为-65°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件，包括工业和军事应用。
　　最后，电流增益（hFE）在IC=5A时典型值为50，确保在大电流条件下仍能提供良好的信号放大性能。

应用

2FI50G-100D 主要应用于需要高功率、高频和高可靠性的电子系统中。
　　在射频（RF）领域，该晶体管常用于功率放大器的设计，适用于广播发射机、通信设备和雷达系统。
　　在工业领域，2FI50G-100D 可用于高频感应加热设备、等离子切割机和激光电源等高功率设备。
　　此外，该晶体管也广泛应用于医疗设备，如磁共振成像（MRI）系统的射频放大模块，确保设备的高效和稳定运行。
　　在电源管理方面，2FI50G-100D 可用于开关电源和直流-直流转换器，提供高效率和稳定的电源输出。
　　由于其优异的高温耐受性能，该晶体管也适用于汽车电子系统，如电动车辆的逆变器和充电模块。