时间：2025/6/10 18:44:51
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YX2119A30S023R 是一款高性能的 N 沣道开关 MOSFET，主要用于电源管理、DC-DC 转换器以及负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高效率并减少功率损耗。
其封装形式为 SOT-23 小型封装，适合对空间要求较高的设计场景。YX2119A30S023R 的典型应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品及通信设备中的电源转换与保护电路。
最大漏源电压：30V
持续漏极电流：2.7A
导通电阻（Rds(on)）：85mΩ（典型值，在 Vgs=10V 下测量）
栅极电荷：6nC（最大值）
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
结电容：40pF（最大值）
存储温度范围：-65℃ 至 +175℃
YX2119A30S023R 具备以下特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于降低功耗并提升系统效率。
2. 高速开关能力，支持高频 DC-DC 转换应用。
3. 小型 SOT-23 封装，节省 PCB 空间。
4. 宽泛的工作温度范围，确保在恶劣环境下的可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子产品中。
6. 内置 ESD 保护功能，增强了器件的鲁棒性。
这款 MOSFET 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源和 DC-DC 转换器中的主开关或同步整流元件。
2. 各种负载开关设计，用于实现动态功率分配。
3. 电池供电设备中的电源通断控制。
4. 过流保护电路和短路保护方案。
5. 手机、平板电脑及其他便携式电子产品的电源管理单元。
6. 通信设备中的信号路径切换与隔离。
AO3400A, FDN340AN, SI2302DS
