时间：2025/9/14 3:04:15
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BUK9615-100A,118 是由 NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的一款高性能N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率、高功率密度应用而设计，适用于广泛的电源管理和功率转换领域。BUK9615-100A,118 采用先进的Trench沟槽技术，具有低导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，使其在高负载条件下也能保持稳定工作。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：150A（Tc=25℃）
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：5.3mΩ（典型值，VGS=10V）
漏极-源极击穿电压（BVDSS）：100V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：TO-263（D2PAK）
BUK9615-100A,118 具备多项优异特性，首先其低导通电阻显著降低了导通损耗，提高了整体系统效率。该MOSFET采用了先进的沟槽技术，使得在相同电压等级下，其导通电阻比传统MOSFET更低，从而减少了能量损耗并提高了系统稳定性。
其次，该器件具有较高的热稳定性和耐久性，适合在高温环境下运行。其TO-263（D2PAK）封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于在PCB上安装和布局，适用于高功率密度设计。
此外，BUK9615-100A,118 的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动（如5V或10V），使其能够与多种控制器或驱动器兼容，适用于各种电源管理应用，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机控制和负载开关等。
该MOSFET还具备较高的短路耐受能力，能够在瞬态过载条件下提供一定的保护能力，提高了系统的可靠性。
BUK9615-100A,118 广泛应用于多种功率电子系统中，包括但不限于：
1. **电源管理**：如DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、负载开关等，适用于服务器电源、电信设备电源和工业电源系统。
2. **电机控制**：用于H桥电机驱动电路、电动工具和工业自动化设备中的功率开关元件。
3. **汽车电子**：适用于车载充电器、电池管理系统（BMS）、DC-AC逆变器等高功率汽车电子系统。
4. **新能源系统**：如太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等应用场合。
IPB150N10N3 G、IRF150N10D、FDP150N10A、SiR178DP
