WPE0524P2是一款高效能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等领域。该芯片采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、高开关速度和出色的热性能等优势,能够显著提升系统的效率和可靠性。
WPE0524P2属于N沟道增强型场效应晶体管,其设计旨在优化大电流应用中的能量损耗,并支持宽范围的工作电压。通过降低导通电阻,可以减少发热并提高整体系统性能。此外,它还具有良好的静电防护能力和稳定性,适用于各种严苛的工作环境。
最大漏源电压:30V
最大栅源电压:±20V
持续漏极电流:16A
导通电阻:2.8mΩ
栅极电荷:29nC
输入电容:1740pF
工作温度范围:-55℃ to +175℃
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效减少传导损耗。
2. 高电流承载能力,支持高达16A的连续漏极电流。
3. 快速开关性能,适合高频应用场合。
4. 出色的热稳定性,能够在高温环境下长时间运行。
5. 内置ESD保护电路,增强器件的抗静电能力。
6. 小型封装选项,便于在紧凑型设计中使用。
1. 开关电源(SMPS)
2. 电机驱动与控制
3. 负载开关
4. 电池管理系统(BMS)
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统
7. LED驱动器
IRFZ44N
STP16NF06L
FDP18N06L