时间：2025/10/7 5:31:35
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UPV1V470MGD1TD是一款由ROHM（罗姆）半导体公司生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于表面贴装型电容，广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高稳定性和低等效串联电阻（ESR）的电源去耦、滤波和旁路电路中表现优异。UPV1V470MGD1TD的标称电容值为47pF，额定电压为100V，适用于在紧凑型封装内实现高性能信号耦合与噪声抑制的应用场景。该电容器采用X7R温度特性介质材料，具备良好的温度稳定性，能够在-55°C至+125°C的宽温度范围内保持电容值变化在±15%以内，满足工业级和汽车级应用的严苛环境要求。其小型化0603（1608公制）封装尺寸使其非常适合高密度印刷电路板设计，有助于缩小整体产品体积并提升系统集成度。
作为ROHM UPV系列的一员，UPV1V470MGD1TD在制造过程中采用了先进的叠层工艺和高纯度陶瓷材料，确保了器件的高可靠性与长寿命。该电容器具有优异的抗湿性、耐热循环性能以及机械强度，能够在回流焊过程中承受高温冲击而不影响电气性能。此外，该型号符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适用于绿色环保电子产品设计。由于其稳定的电气特性和可靠的物理结构，UPV1V470MGD1TD被广泛用于通信设备、消费类电子产品、汽车电子控制系统、工业自动化装置以及便携式医疗设备等领域。
电容值：47pF
额定电压：100V
温度特性：X7R
容差：±20%
封装尺寸：0603（1608公制）
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
介质材料：陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
等效串联电阻（ESR）：低
电容稳定性：±15% within temperature range
尺寸（长×宽×高）：1.6mm × 0.8mm × 0.8mm
UPV1V470MGD1TD所采用的X7R陶瓷介质赋予了其出色的温度稳定性，能够在-55°C到+125°C的极端温度条件下维持电容值的变化不超过±15%，这使得它特别适合用于工作环境复杂多变的工业控制模块和车载电子系统。相较于Z5U或Y5V类电介质材料，X7R具有更平坦的电容-温度曲线，显著提升了电路在不同温区下的性能一致性。这种稳定性对于精密模拟信号处理、参考电压去耦以及高频振荡器电路尤为重要，可有效避免因电容漂移导致的系统误差或频率偏移问题。
该电容器具备优异的高频响应特性，得益于其低等效串联电感（ESL）和低等效串联电阻（ESR）的设计，在数百MHz乃至GHz级别的频率范围内仍能保持较高的阻抗抑制能力，因此非常适合作为高速数字IC的去耦电容使用。在现代微处理器、FPGA或ASIC的电源引脚附近部署此类MLCC，可以快速吸收瞬态电流波动，稳定供电电压，减少电源噪声对敏感逻辑电路的影响，从而提升系统的整体抗干扰能力和运行稳定性。
UPV1V470MGD1TD的0603小型封装不仅节省PCB空间，还优化了寄生参数，有利于高频布局布线。同时，该器件经过严格的可靠性测试，包括高温高湿偏压（H3TRB）、温度循环（TCL）和耐焊接热试验，确保在恶劣环境下长期使用的安全性和耐久性。其无铅、无卤素的环保设计也符合全球主流环保法规要求，支持绿色制造流程。
UPV1V470MGD1TD多层陶瓷电容器适用于多种高性能电子系统中的去耦、滤波和信号耦合应用场景。在电源管理电路中，常用于DC-DC转换器输出端的滤波环节，配合其他容值的电容形成多级滤波网络，以平滑输出电压纹波，提高电源质量。在高速数字系统中，如微控制器、DSP或内存模块的电源引脚处，该电容可作为局部储能元件，迅速响应负载突变引起的电压跌落，防止系统复位或数据错误。
在射频与无线通信设备中，UPV1V470MGD1TD可用于匹配网络、LC谐振回路及RF旁路路径，因其稳定的X7R特性可保证频率响应的一致性，减少信道间干扰。在汽车电子领域，该电容被广泛应用于发动机控制单元（ECU）、车载信息娱乐系统、ADAS传感器模块等，满足AEC-Q200认证要求下的高可靠性需求。
此外，在工业自动化设备如PLC、伺服驱动器和工业HMI中，该器件用于抑制电磁干扰（EMI），增强系统抗噪能力。在医疗电子设备中，例如便携式监护仪或超声成像前端，其低噪声特性和长期稳定性有助于保障信号采集的准确性。消费类电子产品如智能手机、平板电脑和可穿戴设备也大量采用此类小尺寸高可靠性MLCC，以实现轻薄化设计与高性能兼顾的目标。
GRM188R71H470KA01D
CC0603JRX7R9BB470
C1608X7R1H470K
