时间：2025/8/9 11:40:24
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YG339N6 是一款由国产厂商设计和生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于中高功率应用场景。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，广泛用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制和电池管理系统等领域。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
最大漏源电压(VDS)：60V
最大栅源电压(VGS)：±20V
最大连续漏极电流(ID)：180A（在Tc=25℃）
导通电阻(RDS(on))：约 2.8mΩ（典型值）
最大功耗(PD)：300W
工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
封装形式：TO-263（D2PAK）
YG339N6 具备多项优良的电气和物理特性，使其适用于多种功率电子系统设计。首先，其低导通电阻 RDS(on) 可有效降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，该器件支持高达 180A 的连续漏极电流，适合高功率密度应用。此外，YG339N6 的 TO-263 封装具有良好的散热性能，有助于在高负载条件下保持稳定的工作温度。
该 MOSFET 还具有良好的栅极驱动兼容性，可在常见的驱动电压（如 10V 或 12V）下实现快速开关，从而降低开关损耗。其高耐压能力和热稳定性使其在高温环境下依然保持可靠性能，适用于汽车电子、工业电源和储能系统等对可靠性要求较高的场合。
此外，YG339N6 还具备良好的短路和过载承受能力，可以在瞬态负载条件下提供稳定的性能。该器件的设计优化了开关速度与导通损耗之间的平衡，适用于高频开关应用，如同步整流、逆变器和功率因数校正电路。
YG339N6 广泛应用于多种功率电子设备中，尤其适用于需要高效率和高电流承载能力的场景。常见的应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、电源管理模块、工业自动化设备以及电动汽车和储能系统的功率控制模块。
在 DC-DC 转换器中，YG339N6 的低 RDS(on) 和高电流能力可有效提升转换效率，减少发热，延长系统寿命。在电机驱动应用中，其高耐压和快速开关特性使其能够应对复杂的负载变化，提供稳定的输出性能。此外，YG339N6 也常用于高频逆变器和不间断电源（UPS）系统，以实现高效的能量转换和控制。
由于其优异的热性能和封装设计，该器件在紧凑型电源系统中表现尤为突出，是高功率密度应用的理想选择。
SiR182DP-T1-GE3, FDD180N6A, IPP180N06S4-03
