时间：2025/6/20 9:46:24
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DMN33D8LT 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用小尺寸封装 DFN1010-6。该器件专为低电压应用而设计，具有极低的导通电阻和较高的开关速度，非常适合用于便携式设备、消费类电子产品以及需要高效率的电源管理场景。
该器件基于先进的制造工艺，能够提供出色的性能和可靠性。其封装形式有助于提高散热性能并节省 PCB 空间。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±8V
连续漏极电流：3.7A
导通电阻（典型值）：3.2mΩ
导通电阻（最大值）：4.5mΩ
栅极电荷：1.6nC
反向恢复时间：29ns
工作结温范围：-55℃ 至 +150℃
DMN33D8LT 的主要特点包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，能够在高频开关应用中减少功耗，提高效率。
2. 小尺寸 DFN1010-6 封装，适合空间受限的应用环境。
3. 高开关速度，得益于较小的栅极电荷和快速的反向恢复时间。
4. 较宽的工作温度范围，使其适用于各种环境条件下的应用。
5. 无铅且符合 RoHS 标准，满足环保要求。
DMN33D8LT 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC/DC 转换器中的同步整流。
2. 电池保护电路及负载开关。
3. 消费类电子产品的电源管理单元。
4. LED 驱动器中的高效开关元件。
5. 电机驱动和 H 桥控制等需要低损耗开关的应用场景。
DMN33D8LHT, DMN2990UFLLT
