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DTA114YMT2L 发布时间 时间:2025/4/27 17:25:31 查看 阅读:5

DTA114YMT2L是一款高性能的MOSFET功率晶体管,采用TO-252封装形式。该器件主要应用于开关电源、电机驱动和负载切换等领域。其内部结构设计优化了导通电阻和开关性能,适用于需要高效率和低功耗的应用场景。
  该器件具有良好的热稳定性和电气特性,在高温环境下也能保持稳定的性能表现。同时,它符合RoHS标准,适合环保要求严格的现代电子设备。

参数

型号:DTA114YMT2L
  封装:TO-252
  VDS(漏源极电压):60V
  RDS(on)(导通电阻):4.5mΩ
  ID(持续漏电流):78A
  fT(特征频率):3.1MHz
  Qg(总栅极电荷):90nC
  VGS(th)(栅极开启电压):2~4V
  Tj(结温范围):-55℃~175℃

特性

DTA114YMT2L采用了先进的生产工艺以实现低导通电阻和高速开关能力。其RDS(on)仅为4.5mΩ,显著降低了传导损耗,从而提高了整体系统效率。
  此外,该器件具备较高的持续漏电流容量(78A),能够支持大电流应用需求。同时,它的特征频率fT达到3.1MHz,表明其在高频开关电路中也有较好的表现。
  为了满足不同工况下的使用需求,DTA114YMT2L的工作结温范围宽广,从-55℃到175℃,确保在极端温度条件下的可靠性。
  最后,器件的总栅极电荷较低,有助于减少开关过程中的能量损失并提升动态性能。

应用

DTA114YMT2L广泛用于各类电力电子领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关模式电源(SMPS):作为主开关管或同步整流管,提高电源转换效率。
  2. 电机驱动:为直流无刷电机或其他类型电机提供高效的驱动能力。
  3. 工业控制:如工业自动化设备中的负载切换与保护。
  4. 汽车电子:适用于车载电子系统中的大电流控制模块。
  5. 能量管理:例如电池管理系统(BMS)中的充放电路径控制。

替代型号

DTA114EVT2L, IRFZ44N, FDP5500

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DTA114YMT2L参数

  • 标准包装8,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)(欧)10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)(欧)47k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)68 @ 5mA,5V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)300mV @ 250µA,5mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)500nA
  • 频率 - 转换250MHz
  • 功率 - 最大150mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SOT-723
  • 供应商设备封装VMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称DTA114YMT2LTR