时间：2025/7/3 9:09:54
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HH15N0R9B500CT是一款高性能的MOSFET功率晶体管，主要应用于高效率电源转换和电机驱动领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能。其设计旨在满足现代电子设备对高能效和紧凑尺寸的需求。
HH15N0R9B500CT属于N沟道增强型MOSFET，适用于直流-直流转换器、开关电源、逆变器和负载切换等应用。由于其优异的电气特性和可靠性，该器件在工业控制、汽车电子及消费类电子产品中得到了广泛应用。
型号：HH15N0R9B500CT
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(V_DS)：500V
最大栅源电压(V_GS)：±20V
连续漏极电流(I_D)：15A
导通电阻(R_DS(on))：9mΩ（典型值，在V_GS=10V时）
总功耗(P_TOT)：360W
结温范围(T_J)：-55℃至+175℃
封装形式：TO-247
HH15N0R9B500CT具备以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（R_DS(on)），有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关性能，能够有效降低开关损耗，适合高频应用。
3. 高击穿电压（V_DS=500V），确保器件在高压环境下的稳定运行。
4. 强大的雪崩能力，增强了。
5. 采用TO-247标准封装，散热性能优良且易于集成到各种电路设计中。
6. 宽广的工作温度范围（-55℃至+175℃），适应多种恶劣环境。
7. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
HH15N0R9B500CT适用于以下应用场景：
1. 开关电源(SMPS)中的功率转换。
2. 直流-直流转换器的核心元件。
3. 电机驱动与控制电路。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率管理。
5. 汽车电子中的负载切换和保护。
6. 工业自动化设备中的功率级控制。
7. 各种需要高效功率处理的电子设备。
IRFP460,
STP15NM50,
FDP18N50,
IXFN15N50T2
