SKPRAAE010是一款高性能的MOSFET功率晶体管,广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺,确保了低导通电阻和高开关速度,从而提高了效率并降低了能耗。
这款MOSFET适合在高频条件下运行,具有出色的热稳定性和电气性能,能够承受较高的电压和电流负载,同时具备良好的抗干扰能力。
型号:SKPRAAE010
类型:N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds):60V
最大栅源电压(Vgs):±20V
最大漏极电流(Id):50A
导通电阻(Rds(on)):1.4mΩ
栅极电荷(Qg):95nC
开关频率:高达1MHz
工作温度范围:-55℃至+175℃
封装形式:TO-247
1. 极低的导通电阻(Rds(on)仅为1.4mΩ),显著降低了传导损耗,提升了整体效率。
2. 高额定电流(50A)和耐压能力(60V),使其能够在严苛的应用环境下可靠运行。
3. 快速开关性能,支持高达1MHz的工作频率,适用于高频开关应用。
4. 优秀的热稳定性设计,允许器件在高温环境中持续工作,最高结温可达175℃。
5. 良好的电磁兼容性,减少噪声干扰对系统的影响。
6. TO-247封装形式提供了卓越的散热性能,便于集成到各种功率电子设备中。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级元件,用于控制直流无刷电机(BLDC)或其他类型的电机。
3. DC-DC转换器和升压/降压电路中的功率开关。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 电池管理系统(BMS)中的保护开关或均衡电路。
6. 工业自动化设备中的负载控制和功率调节组件。
SKPRAAE012, IRFZ44N, FDP55N06L