SKPRAAE010 时间：2025/4/2 10:27:39 阅读：28

SKPRAAE010是一款高性能的MOSFET功率晶体管，广泛应用于开关电源、电机驱动和功率转换等领域。该器件采用了先进的半导体制造工艺，确保了低导通电阻和高开关速度，从而提高了效率并降低了能耗。
　　这款MOSFET适合在高频条件下运行，具有出色的热稳定性和电气性能，能够承受较高的电压和电流负载，同时具备良好的抗干扰能力。

参数

型号：SKPRAAE010
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大漏极电流(Id)：50A
　　导通电阻(Rds(on))：1.4mΩ
　　栅极电荷(Qg)：95nC
　　开关频率：高达1MHz
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-247

特性

1. 极低的导通电阻（Rds(on)仅为1.4mΩ），显著降低了传导损耗，提升了整体效率。
　　2. 高额定电流（50A）和耐压能力（60V），使其能够在严苛的应用环境下可靠运行。
　　3. 快速开关性能，支持高达1MHz的工作频率，适用于高频开关应用。
　　4. 优秀的热稳定性设计，允许器件在高温环境中持续工作，最高结温可达175℃。
　　5. 良好的电磁兼容性，减少噪声干扰对系统的影响。
　　6. TO-247封装形式提供了卓越的散热性能，便于集成到各种功率电子设备中。

应用

1. 开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器。
　　2. 电机驱动电路中的功率级元件，用于控制直流无刷电机（BLDC）或其他类型的电机。
　　3. DC-DC转换器和升压/降压电路中的功率开关。
　　4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
　　5. 电池管理系统（BMS）中的保护开关或均衡电路。
　　6. 工业自动化设备中的负载控制和功率调节组件。